离子型光致产酸剂（PAG）主要用来制备半导体化学放大型光刻胶 我国具备生产能力

　　离子型光致产酸剂，简称离子型PAG，是以有机鎓盐为核心骨架的光敏功能性化合物。该类物质受光照触发光化学反应并释放质子酸，分子结构由有机鎓阳离子与反离子阴离子两部分组成。阳离子以二芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐为代表；阴离子常见类型包含全氟磺酸根、樟脑磺酸根以及四(五氟苯基)硼酸根等。

 

　　不同于非离子型PAG依靠中性分子内化学键断裂实现产酸，离子型PAG的产酸机理为：鎓阳离子吸收光能后发生C-S⁺或C-I键裂解，生成的自由基中间体进一步夺取质子，形成与反离子匹配的共轭酸。

 

　　离子型PAG具备多项突出优势：可通过更换反离子灵活调控生成酸的强度，覆盖弱酸至超强酸区间；热稳定性明显优于非离子型PAG；在化学放大型光刻胶体系中产酸效率高。该产品的短板在于有机溶剂溶解性相对有限，在疏水性聚合物基质内易发生组分偏析现象。

 

　　依据阳离子结构划分，离子型PAG主要分为二芳基碘鎓盐与三芳基硫鎓盐两类。二芳基碘鎓盐因碘原子对13.5nm EUV光子具备较高吸收截面，在EUV光刻胶配方研发中备受关注；三芳基硫鎓盐则在KrF与ArF光刻胶中实现更为广泛的产业化应用。

 

　　离子型PAG的核心应用场景为半导体化学放大型光刻胶。在KrF（248 nm）光刻制程中，三芳基硫鎓盐类PAG与聚对羟基苯乙烯树脂体系复配，广泛应用于90nm至28nm技术节点的芯片制造。在ArF（193nm）光刻体系中，离子型PAG需要在193nm波长下保持高透光率与优异产酸效率，适配聚甲基丙烯酸酯类树脂基体。面向EUV光刻，离子型PAG的分子设计面临更为严苛的指标约束：既要在13.5nm极紫外波段实现光子高效捕获与酸生成，还需要严格抑制光解过程的气体析出，避免挥发性副产物污染EUV光学系统。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2026-2030年全球及中国离子型光致产酸剂（PAG）行业研究及十五五规划分析报告》显示，2025年，全球离子型光致产酸剂（PAG）市场规模约为2.71亿美元，在PAG总市场中占比达到64.8%；预计发展到2032年，全球离子型光致产酸剂（PAG）市场规模将达到4.69亿美元，期间复合年均增长率为8.15%。

 

　　新思界行业分析人士表示，在我国市场中，离子型PAG生产企业主要有湖北鼎龙控股股份有限公司、常州强力电子新材料股份有限公司、中节能万润股份有限公司等。其中，常州强力电子新材料股份有限公司已布局半导体i线、KrF及ArF光酸，其离子型光酸纯度＞99.9%。

 

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