高纯氢氟酸缓冲腐蚀液，业内通常称为缓冲氧化物刻蚀液（BOE）或缓冲氢氟酸（BHF），是半导体湿法工艺常用腐蚀性刻蚀溶液。该产品由电子级氢氟酸（HF）水溶液与电子级氟化铵（NH4F）水溶液按特定比例混合，以超纯水作为稀释介质；部分定制配方会额外添加微量表面活性剂等功能助剂，用于改善晶圆表面润湿性能。
高纯氢氟酸缓冲腐蚀液核心设计原理在于利用氟化铵作为缓冲剂，维持体系中氟离子浓度的相对稳定，从而控制对二氧化硅的蚀刻速率，避免纯氢氟酸因酸消耗过快导致的蚀刻不均匀问题。该产品制备的核心工艺控制点包含原料纯度、配比精度以及混配环境的洁净度，需严格管控金属杂质与颗粒物水平。该产品外观为无色透明液体，具有强腐蚀性，通常要求金属杂质含量控制在ppb级别；溶液pH值通常处于3~5区间，随氟化铵与氢氟酸的配比变化而调整。
高纯氢氟酸缓冲腐蚀液的核心应用集中在半导体集成电路制造领域。在晶圆制造过程中，该产品用于二氧化硅薄膜的精确蚀刻，可应用于晶圆清洗、栅极相关氧化层去除、氧化物层剥离以及浅沟槽隔离（STI）结构的氧化层修整等关键工序。相较于稀释氢氟酸，高纯氢氟酸缓冲腐蚀液依托氟化铵的缓冲效应，蚀刻速率更稳定可控，同时具备优异的SiO2/Si3N4刻蚀选择比，在先进制程薄层氧化硅的精密图形化加工中发挥重要作用。
在显示面板制造领域，高纯氢氟酸缓冲腐蚀液用于OLED和TFT-LCD制程中透明电极图案成型及绝缘层蚀刻。在光伏晶体硅电池领域，该产品用于氧化层去除与钝化辅助工艺。在MEMS加工场景下，该产品可实现传感器、功率器件内部二氧化硅介质层的图形化刻蚀。
新思界
行业分析人士表示，在我国，高纯氢氟酸缓冲腐蚀液生产企业主要包括浙江凯圣氟化学有限公司（中巨芯科技股份有限公司）、江阴江化微电子材料股份有限公司、浙江森田新材料有限公司（中日合资）、杭州格林达电子材料股份有限公司等。2021年，湖北兴福电子材料有限公司申请了“一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液”专利，在保持对二氧化硅高效蚀刻的同时显著抑制对氮化硅的蚀刻，改善了晶圆蚀刻后的表面平整度。
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