四(二甲氨基)钛，也称四(二甲胺基)钛，英文简称TDMAT，分子式为C8H24N4Ti，分子量为224.17，CAS号为3275-24-9，常温下外观为黄色透明液体状，对眼睛与皮肤有刺激性，吸入有害，密度0.947g/cm3，熔点4℃，沸点50℃，可溶于醇、苯、四氯化碳等有机溶剂，高度易燃，遇水剧烈反应释放出易燃气体，需密封存储并远离火种、热源、氧化剂。
四(二甲氨基)钛是钛基薄膜前驱体。四(二甲氨基)钛在稳定性、蒸气压、反应性等方面表现良好，是热门的原子层沉积（ALD）工艺前驱体材料。原子层沉积工艺可以沉积单原子薄膜，操作简单、参数易于控制、沉积均匀性高，在半导体领域应用价值大，主要应用领域包括晶体管栅极介电层。
根据新思界产业研究中心发布的
《2025年中国四（二甲氨基）钛（TDMAT）市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，以四(二甲氨基)钛为前驱体，利用原子层沉积技术在衬底表面可以沉积得到二氧化钛（TiO2）薄膜。二氧化钛薄膜具有高介电常数特征，可以替代传统的二氧化硅薄膜，应用在晶体管栅极介电层制备中，能够进一步缩小晶体管尺寸并保持晶体管性能。在芯片尺寸不断缩小背景下，四(二甲氨基)钛市场前景广阔。四(二甲氨基)钛的薄膜沉积工艺也可以采用化学气相沉积法（CVD），也可以沉积得到氮化钛（TiN）薄膜。
近年来，我国企业在四(二甲氨基)钛生产工艺方面申请的专利数量不断增多，主要有浙江博瑞电子科技有限公司的“一种四(二甲氨基)钛的制备方法”、“一种四(二甲氨基)钛的新型制备方法”、“一种四(二甲氨基)钛的精制方法”，苏州欣溪源新材料科技有限公司的“四(二甲氨基)钛的合成方法”等。
2025年，我国四(二甲氨基)钛产能规划建设规模还在扩大。浙江先导微电子科技有限公司集成电路关键材料基地产业化扩建项目中，第二批次将建设形成金属前驱体220.6t/a生产能力，其中包括四(二甲氨基)钛产能30吨/年；江西华特电子化学品有限公司华特电子永修半导体新材料中试基地项目中，一期建设项目17个，包括四(二甲氨基)钛生产线。
新思界
行业分析人士表示，现阶段我国市场中，在官网中展示有四(二甲氨基)钛产品的机构与企业主要有南京大学材料MO源研究开发中心、江苏南大光电材料股份有限公司、合肥安德科铭半导体科技有限公司、安徽博泰电子材料有限公司、苏州源展材料科技有限公司等。
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