三(二甲胺基)环戊二烯基锆，别称三(二甲胺)环戊二烯基锆、环戊二烯基三(二甲胺基)锆，英文简称CpZr，Cas号33271-88-4，分子式C11H23N3Zr，分子量288.55，外观为浅黄色液体状，相对密度1.26g/cm3，对空气、水汽极为敏感。
在半导体产业中，传统的高介电常数（High-K）材料是二氧化硅（SiO2），通常采用二氧化硅薄膜作为晶体管栅极介电层。随着芯片制程工艺缩小，晶体管尺寸不断减小，晶体管栅极介电层厚度随之减薄，当二氧化硅薄膜减薄到一定厚度时，栅极介电层漏电情况明显提升，使得晶体管尺寸进一步缩小受到限制，因此需要采用新型高介电常数材料来替代二氧化硅，二氧化锆是其中一种。由此来看，作为二氧化锆薄膜前驱体材料的三(二甲胺基)环戊二烯基锆市场前景广阔。
我国是半导体产销大国，高介电常数前驱体材料开发与应用需求迫切，因此三(二甲胺基)环戊二烯基锆相关布局企业不断增多。现阶段，我国三(二甲胺基)环戊二烯基锆提供商主要有南京大学材料MO源研究开发中心、合肥安德科铭半导体科技有限公司（铜陵安德科铭电子材料科技有限公司）、安徽博泰电子材料有限公司等，其中，铜陵安德科铭电子材料科技有限公司拥有5吨/年的三(二甲胺基)环戊二烯基锆生产能力。
进入2025年以来，我国进入环评阶段的三(二甲胺基)环戊二烯基锆建设项目主要有：浙江先导微电子科技有限公司“集成电路关键材料基地产业化扩建项目”，首批次建设30吨/年三(二甲胺基)环戊二烯基锆产能；太和气体（荆州）有限公司“高端电子化学品材料项目”，包括三(二甲胺基)环戊二烯基锆30吨/年生产线；江西华特电子化学品有限公司“华特电子永修半导体新材料中试基地项目”，一期建设项目包括三(二甲胺基)环戊二烯基锆产能。
新思界
行业分析人士表示，我国三(二甲胺基)环戊二烯基锆制备方法相关专利还在增多，主要有江苏南大光电材料股份有限公司“三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法”、铜陵安德科铭电子材料科技有限公司“三(二甲胺基)环戊二烯基锆及其制备方法”、浙江博瑞电子科技有限公司“一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的新制备方法”、洛阳中硅高科技有限公司“一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法”等。
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