四(甲乙胺基)铪，别名四(甲乙胺)铪、四(甲乙基氨基)铪、四(乙基甲基氨基)铪、四双(乙基甲基氨)铪，英文简称TEMAH或TEMAHf，分子式C12H32N4Hf，分子量410.899，外观为无色至黄色液体状，有毒性，有刺激性，相对密度1.324g/cm3，熔点-50℃，沸点79℃，闪点11℃，遇水剧烈反应，高度易燃，暴露在空气中可自燃，存储需密封并远离火种、热源、氧化剂。
根据新思界产业研究中心发布的
《2025年中国四（甲乙胺基）铪（TEMAH）市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，四(甲乙胺基)铪主要用作前驱体材料，利用化学气相沉积法（CVD）、原子层沉积法（ALD）等工艺在衬底上沉积得到二氧化铪薄膜、氮化铪薄膜。二氧化铪薄膜具有高介电常数特征，可以应用在半导体、新材料等领域，用来制备晶体管栅极介电层，在二维材料表面沉积用作保护层；氮化铪薄膜，具有可见光红外宽波段透明特征，可用作红外增透保护膜材料。四(甲乙胺基)铪可以在硅、氧化铟锡、二硫化钼、玻璃等基底材料上沉积生长薄膜，能够实现原子级膜层厚度，是生长二氧化铪或氮化铪薄膜的关键材料。
我国开发的四(甲乙胺基)铪制备方法有：南京大学专利“四甲乙氨基铪的合成方法”，以甲乙胺、丁基锂、四氯化铪为原料，在惰性气氛、溶剂存在条件下进行反应制备；铜陵正帆电子材料有限公司专利“一种四(乙基甲基氨基)铪的制备方法”，在溶剂存在下，以碱金属化合物、甲乙胺、四氯化铪为原料进行反应制备等。四(甲乙胺基)铪纯度要求通常在99.99%及以上。
在全球数据产生量迅猛增长情况下，数据计算与存储等方面对芯片性能要求不断提高，大规模集成电路技术持续发展，其功能集成度不断提升、尺寸不断缩小，晶体管栅极介电层减薄，与硅基底之间的界面势垒易出现电子隧穿问题。因此开发利用高介电常数晶体管栅极介电层材料极为重要，采用二氧化哈来替代传统的二氧化硅，能够明显提升晶体管性能。在此背景下，前驱体材料四(甲乙胺基)铪被研发问世。
新思界
行业分析人士表示，我国半导体产业蓬勃发展，四(甲乙胺基)铪开发生产受重视度不断提升。现阶段，我国四(甲乙胺基)铪市场布局机构与企业主要有江苏南大光电材料股份有限公司、合肥安德科铭半导体科技有限公司、南京大学材料MO源研究开发中心等。此外，太和气体（荆州）有限公司计划扩建的“高端电子化学品材料项目”中，包括新增20吨/年的四(甲乙胺基)铪产能，产品纯度99.999%。
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