四(甲乙胺基)锆（TEMAZ）为锆基薄膜前驱体材料 市场发展空间大

　　四(甲乙胺基)锆，别名四(甲乙氨基)锆、四(甲乙胺)锆、四(乙基甲基氨基)锆，英文简称TEMAZ或TEMAZr，分子式C12H32N4Zr，分子量323.633，外观为无色至黄色透明液体状，对眼睛、皮肤、呼吸道有刺激性，相对密度1.049g/cm3，沸点81℃，闪点10℃，遇水发生剧烈反应，高度易燃，暴露在空气中可自燃，需低温密封存储，并远离火种、热源、氧化剂。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2025年中国四（甲乙胺基）锆（TEMAZ）市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，四(甲乙胺基)锆是一种锆基薄膜前驱体材料。四(甲乙胺基)锆可以采用化学气相沉积法（CVD）、原子层沉积法（ALD）等工艺在基体材料之上沉积二氧化锆（ZrO2）薄膜。二氧化锆薄膜是高介电常数材料，可以应用在半导体、微电子、光电子、锂离子电池电极等制造领域，晶体管栅极介电层薄膜制备是其重要下游市场。

 

　　随着芯片制程工艺不断缩小，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极介电层厚度不断减薄，利用二氧化硅薄膜作为栅极介电层，其与硅衬底之间的界面势垒易出现电子直接隧穿问题，采用高介电常数材料替代二氧化硅沉积得到的薄膜作为栅极介电层，可以明显减少这一现象，同时还可以满足晶体管开关速度提高、小尺寸晶体管制备等需求。在此背景下，铪基、锆基材料成为关键栅极介电层材料选择，四(甲乙胺基)锆作为常见产品之一，市场发展空间大。

 

　　在我国，已经开发出的四(甲乙胺基)锆制备方法有：苏州复纳电子科技有限公司的“一种四(甲乙胺基)锆的合成方法”专利，在保护气体存在下，向反应器内置入烃类溶剂、金属锂化合物，滴加甲乙胺反应后，再加入四氯化锆进行反应制备，产物纯度高，可以满足电子化学品要求；江苏南大光电材料股份有限公司“半导体级四（甲乙氨基）锆的制备方法”的专利，在氮气气氛下，向反应器内置入甲乙胺、溶剂正己烷，加入正丁基锂进行反应，再加入四氯化锆进行反应制备，操作性好、产率较高，产品纯度可以满足半导体行业要求。

 

　　新思界行业分析人士表示，我国市场中，四(甲乙胺基)锆供应机构与企业主要有南京大学材料MO源研究开发中心、江苏南大光电材料股份有限公司、合肥安德科铭半导体科技有限公司、江苏爱姆欧光电材料有限公司、安徽博泰电子材料有限公司等。

 

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