N,N-二硅烷基-硅烷胺为重要薄膜沉积前驱体 我国市场国产替代进程需加快

　　N,N-二硅烷基-硅烷胺，别名三甲硅烷基胺、三硅烷基胺、TSA，CAS号13862-16-3，分子式H9NSi3，分子量107.3。该化合物属于无碳硅烷基胺类薄膜前驱体，分子内氮原子与三个硅烷基（SiH3）相连，不存在Si-C化学键，具备高挥发性，便于在原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）工艺中快速气相传输。

 

　　N,N-二硅烷基-硅烷胺常温下为无色流动性液体，水解活性极强；20℃条件下密度0.79g/cm3，熔点-106℃，沸点52℃，闪点-48℃。该化合物接触空气可发生自燃，遇水或水蒸气会剧烈反应，释放有毒、易燃气体；受热条件下可发生分解，存储需密封并远离热源。

 

　　N,N-二硅烷基-硅烷胺是半导体领域重要的硅基前驱体，核心用途聚焦薄膜沉积工艺。在芯片制造中，该材料可作为氮化硅、氮氧化硅薄膜的前驱体，在原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）中充当反应前驱体。该材料也可应用于集成电路、半导体分立器件以及显示面板的薄膜制备环节，薄膜成型后再配合后续工序完成精细图形加工。此外，该物质还可用于硅基自组装单层（SAM）组合物，利用不含Si-C键的聚硅烷与该物质作为SAM单体骨架，能够优化CVD、ALD工艺的薄膜成核效果，属于前沿应用方向。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2026-2030年全球及中国N,N-二硅烷基-硅烷胺行业研究及十五五规划分析报告》显示，相较于双二乙氨基硅烷等含碳有机氨基硅烷前驱体，N,N-二硅烷基-硅烷胺最突出的特点是分子结构不含碳元素，在薄膜沉积过程中能够有效避免碳杂质掺入薄膜。2025年，全球电子级N,N-二硅烷基-硅烷胺市场规模约为2570.13万美元，预计发展到2032年将达到4343.94万美元，期间复合年均增长率为7.79%。

 

　　在我国，江苏南大光电材料股份有限公司可生产供应纯度指标99.65%的N,N-二硅烷基-硅烷胺产品，主要用于通过流动化学气相沉积形成氧化硅；南大光电核心业务布局涵盖前驱体材料、电子特气和光刻胶三大块，获评国家级“专精特新”小巨人企业、制造业“单项冠军”示范企业。

 

　　新思界行业分析人士表示，随着先进逻辑制程持续向3nm以下节点演进，叠加先进封装技术渗透率不断提升，原子层沉积工艺所需的高纯度前驱体市场需求将持续扩张。当前国内企业在电子级N,N-二硅烷基-硅烷胺领域已完成初步产能布局，但产品在先进制程晶圆产线的验证与导入工作仍在推进过程中，高端前驱体材料的国产替代进程将成为行业中长期发展的核心关注点。

 

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