CMP抛光液即化学机械抛光液，是半导体前道制造环节用量最大的液体耗材之一，由纳米磨粒、氧化剂、螯合剂、表面活性剂与溶剂按配方复配而成。产品依托化学腐蚀与机械研磨的协同作用，在抛光设备加压条件下对晶圆表面材料进行纳米级去除，消除起伏、实现全局平坦化。芯片堆叠结构每增加一层，光刻对准对平坦度的要求就提高一档，抛光液由此成为逻辑芯片、3D NAND 存储芯片制造不可替代的刚需耗材。
按抛光对象划分，CMP抛光液分为氧化硅抛光液、钨抛光液、铜抛光液、浅沟槽隔离用氧化铈抛光液四大主流品类，另含阻挡层、多晶硅等配套品类。氧化硅抛光液服务介质层平坦化，需求规模最大；铜抛光液用于互连金属层；钨抛光液用于接触孔与通孔填充后的平坦化；氧化铈抛光液专攻浅沟槽隔离工艺。
CMP抛光液为集成电路制造刚需耗材，没有该材料，多层堆叠结构的逻辑芯片、3D NAND存储芯片无法完成光刻对准。每片12英寸晶圆制造过程需要多次CMP工序，工艺节点越先进、堆叠层数越多，抛光工序数量越多，抛光液消耗量同步提升。CMP抛光液覆盖硅片制备、晶圆前道制造、先进封装三大场景，广泛用于存储芯片、车规芯片、AI算力芯片、功率半导体生产。根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2030年全球及中国CMP抛光液行业研究及十五五规划分析报告》显示，2025年全球CMP抛光液市场规模超过150亿元。
全球市场呈现寡头垄断特征，行业认证周期长、客户绑定强、配方专利壁垒高。全球主导厂商包括英特格、富士胶片、富士美、默克，其产品覆盖成熟制程到先进逻辑、存储芯片全品类。国内市场安集科技为本土龙头，产品覆盖铜、钨、氧化硅、阻挡层等品类，进入多家晶圆厂供应链。
新思界
行业分析师表示，全球半导体扩产与工艺迭代带动抛光液市场稳定扩容，存储芯片、车规芯片、先进封装需求共同拉动采购规模。同时，国内晶圆产线持续建设，叠加供应链自主可控诉求，本土厂商获得更大市场空间。
未来，CMP抛光液性能将向更低缺陷、更高选择比迭代，从而适配3D NAND更高堆叠层数与GAA逻辑芯片等新一代工艺。同时，行业竞争重心由单一产品销售转向工艺协同服务，材料厂商与晶圆厂联合开发配方、同步验证工艺。中长期看，本土厂商将逐步向先进制程抛光液突破，缩小与海外龙头差距，国产化率稳步提升。
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