氧化镓MOSFET，指以氧化镓（Ga₂O₃）作为沟道与漂移层材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。氧化镓MOSFET具备耐压能力强、导通耗损低等特点，在数据中心电源管理、新能源汽车充电、智能电网、轨道交通以及深紫外探测等领域拥有巨大应用价值。
氧化镓MOSFET有多种类型。按器件结构不同，氧化镓MOSFET可分为横向结构氧化镓MOSFET和垂直结构氧化镓MOSFET；按照工作模式不同，可分为耗尽型氧化镓MOSFET（D-mode）和增强型氧化镓MOSFET（E-mode）；按照晶体结构不同，可分为β-氧化镓MOSFET以及α-氧化镓MOSFET。
氧化镓MOSFET制备涵盖衬底生长、外延生长等环节。衬底生长方法包括提拉法（CZ）、垂直布里奇曼法（VB）、导模法（EFG）以及浮区法（FZ）等。导模法具备生长速率高、晶体形状可控等特点，在氧化镓单晶衬底制备过程中应用较多。未来伴随技术进步，氧化镓MOSFET行业发展速度有望加快。
氧化镓MOSFET适用于众多领域，包括数据中心电源管理、新能源汽车充电、智能电网、轨道交通以及深紫外探测等。在新能源汽车充电领域，氧化镓MOSFET可用作800V及以上高压充电平台关键器件；在轨道交通领域，其可用于电力机车牵引变流器中；在深紫外探测领域，其可用于日盲紫外探测器阵列中。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2030年氧化镓MOSFET行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在数据中心电源管理领域，氧化镓MOSFET可用作AI服务器电源器件。近年来，伴随算力需求增长，我国数据中心建设速度不断加快。据国家工信部统计数据显示，截至2025年底，我国三家基础电信企业对外提供服务数据中心机架数量达到93.8万个，较上年增加10.8万个。在此背景下，氧化镓MOSFET行业发展空间将得到进一步扩展。
日本NCT和日本FLOSFIA为全球氧化镓MOSFET代表企业。在本土方面，杭州谱析光晶半导体科技有限公司、上海镓驰动力科技有限公司等为我国氧化镓MOSFET市场主要参与者。镓驰动力已成功研制出全球首款导通电流突破1安的垂直结构氧化镓MOSFET。
新思界
行业分析人士表示，氧化镓MOSFET作为第四代超宽禁带半导体器件，在高压功率电子领域拥有潜在应用价值。目前，我国氧化镓MOSFET行业发展正处于从实验室验证向产业化过渡的关键阶段。未来伴随本土企业持续发力，我国氧化镓MOSFET技术水平有望提升。
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