3D NAND，又称三维NAND，是一种非易失性闪存技术，通过将存储单元在垂直方向上多层堆叠，而非传统平面水平扩展方式，来提升单位面积的存储密度。3D NAND具备高存储密度、快速读写能力、低功耗以及大容量，在消费电子、物联网设备、汽车电子、工业级存储、数据中心与企业级SSD等众多领域拥有潜在应用价值。
按照每单元存储的比特数不同，3D NAND可分为SLC（单层单元）、MLC（多层单元）、TLC（三层单元）、QLC（四层单元）以及PLC（五层单元）。SLC每单元存储1比特，具有编程速度快和耐久性好等优势；MLC每单元存储2比特，擦写寿命约为3000至10000次；TLC每单元存储3比特，对应8种不同的电荷状态，在智能手机、存储设备以及数据中心领域应用较多。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026年全球及中国3D NAND（三维NAND）产业深度研究报告》显示，受益于行业景气度提升，3D NAND市场规模不断增长。2025年全球3D NAND市场规模达到超过250亿美元，同比增长超过20%。未来伴随技术进步，3D NAND行业发展态势将持续向好。预计到2031年，全球3D NAND市场规模将突破750亿美元。
3D NAND通过从平面结构向三维结构转变，实现存储密度提升，在众多领域拥有潜在应用价值。在消费电子领域，3D NAND可用于智能手机、平板电脑以及笔记本电脑中；在数据中心与企业级SSD领域，其可用于超大规模数据中心中，需求占比达到近五成。近年来，伴随AI算力需求增长，我国数据中心建设进程不断加快。据国家工信部统计数据显示，2025年我国三家基础电信企业对外提供服务数据中心机架数量达到93.8万个，较上年增加10.8万个。未来随着应用需求增长，我国3D NAND市场空间将得到进一步扩展。
全球3D NAND代表企业包括韩国三星、韩国SK海力士、日本铠侠、美国美光科技等。铠侠和闪迪联合开发的第10代BiCS FLASH 3D闪存采用332层堆叠设计，目前已实现样品交付。在本土方面，长江存储科技有限责任公司、江苏雅克科技股份有限公司等为我国3D NAND市场主要参与者。
新思界
行业分析人士表示，3D NAND行业发展正处于技术迭代加速的关键阶段。未来伴随堆叠层数持续攀升、混合键合等新架构不断涌现，3D NAND行业发展态势将持续向好。目前，全球3D NAND市场被日韩企业占据主导。未来随着本土企业持续发力，我国3D NAND市场国产化进程有望就加快。
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