空白掩模版主要作用是光刻工艺中承载电路图形转移，其通常由高纯度石英基板，以及铬、钼硅等遮光/相移薄膜和光刻胶层构成，本身并不直接带有完整电路图形，而是经过电子束曝光、显影、刻蚀后形成光掩模版，再将图形批量复制到硅片、玻璃基板或封装基板上。空白掩模版的质量直接决定光刻图形的线宽精度、套刻精度和缺陷水平，是半导体、平板显示、MEMS、先进封装和PCB等领域不可或缺的上游核心材料。
随着光刻波长从i-line、KrF、ArF向EUV演进，基板需要更低的热膨胀系数、更高的透光率或反射率控制能力，同时对纳米级缺陷的容忍度越来越低。EUV空白掩模版还需叠加多层反射膜结构，对膜厚控制、应力管理和缺陷密度提出更苛刻要求，2025年前后头部企业已将缺陷密度控制到0.05/cm²以下水平。国内当前高端ArF基板国产化率极低，EUV基板仍受出口管制限制，因此技术突破重点集中在低缺陷石英基板制备、精密化学机械抛光、磁控溅射镀膜、涂胶检测以及全流程良率控制。
芯片制程越先进，掩模版层数越多；多重曝光会进一步增加掩模版用量；先进封装、车规芯片、AI芯片、HBM和新型显示也在持续拉动高精度掩模版需求。根据新思界产业研究中心发布的
《2026年中国空白掩模版市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，2025年全球空白掩模版规模接近20亿美元，整体保持增长。中国大陆受益于晶圆厂扩产、成熟制程放量以及高端制程验证推进，需求增速明显高于全球平均，尤其是DUV-ArF、KrF和显示用高世代基板需求增长较快。
全球空白掩模版长期由日本HOYA、信越化学、AGC等少数企业主导，其中EUV空白掩模版几乎由日系企业垄断。韩国S&S Tech、SKC等企业也在半导体和显示用空白掩模版领域具备一定供应能力。中国市场过去主要依赖进口，高端产品供应集中度高、交期长、价格弹性大。近年来，国产替代开始从“规划阶段”进入“客户验证与产能落地阶段”。聚和材料通过收购韩国SK旗下空白掩膜版业务，已获得覆盖DUV-ArF/KrF节点的量产工艺，并推进上海高端空白掩模基板项目建设；韶光芯材在石英基板研磨抛光、镀膜和涂胶全流程方面具备量产能力；菲利华、兴材半导体等企业也在显示基板、光罩基板精加工或新建产能方面加快布局。不过，国内整体产能仍偏小，高端ArF、EUV级产品仍是主要短板。
新思界
行业分析人士表示，随着国内晶圆厂扩产、先进封装放量以及客户认证周期推进，具备稳定良率和本地化服务能力的空白掩模版企业将获得更快导入机会。预计到2030年，中国空白掩模版国产化率有望显著提升，但高端节点仍会呈现“成熟制程快速替代、先进制程逐步验证、EUV长期攻坚”的分层格局。
关键字：
