导电型碳化硅衬底电阻率较低，主要用作功率器件的外延生长基底。根据规格不同，导电型碳化硅衬底又分为6英寸、8英寸、12英寸，其中6英寸为主流规格，8英寸正加速向产业化迈进，12英寸已进入技术验证与客户送样阶段。
碳化硅衬底是以第三代半导体材料碳化硅（SiC）为基材，经粉料合成、晶体生长、加工切割、研磨、抛光、清洗、检测等工序加工形成的单晶薄片。碳化硅衬底根据电学性能不同，分为导电型与半绝缘型两大类。
导电型碳化硅衬底经同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件。在碳化硅器件制造成本中，衬底成本占比最大，占器件总成本的40%-50%。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年导电型碳化硅衬底行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，导电型碳化硅衬底具有耐高压、低损耗等特点，适配高压、高温、高频场景，是供电系统向800V高压直流迭代的基础材料，在AI智算中心、新能源汽车、光伏储能、特高压直流等领域应用空间广阔。
当前AI智算中心、新能源汽车等领域全面推进800V高压平台的普及与升级，2026年全球主流车企有望全面切换至800V高压平台。导电型碳化硅衬底作为800V高压平台、AI智算中心高功率电源核心基础材料，市场需求将不断释放。
在国家政策层面，发改委、工信部将8英寸SiC衬底列为优先发展核心产品；2026年政府工作报告提出“推动第三代半导体规模化应用，支持8寸及以上衬底产业化”；十五五”规划纲要专章部署“宽禁带半导体材料与器件”。在政策推动下，我国导电型碳化硅衬底自主研发和供应能力不断提升。
国内导电型碳化硅衬底企业包括天岳先进、露笑科技、三安光电、浙江晶瑞、晶越半导体、合盛硅业等。天岳先进是全球导电型碳化硅衬底龙头，2025年全球市占率第一，8英寸衬底市场份额达51%以上，12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底已实现出货。
新思界
行业分析人士表示，近年来，国产长晶炉、切割抛光、剥离等设备的升级及规模化落地，成为导电型碳化硅衬底良率突破的关键变量。我国长晶炉设备供应商包括晶升股份、晶盛机电等，其中晶升股份的SiC长晶炉长期配套天岳先进、露笑科技等主流衬底厂商；在剥离设备上，相关供应商有杭州西湖仪器、硅来半导体、中微精仪、芯光光电等。
关键字：
