EML是一种将分布式反馈激光器（简称DFB）与电吸收调制器（简称EAM）集成在同一个芯片上的半导体光电子器件。其中，DFB部分负责产生连续、稳定的单频激光，而EAM部分则利用Franz-Keldysh效应，通过施加电场改变半导体的吸收系数，从而对光波进行高速调制，将电信号转换为光信号。
EML兼具DFB激光器的窄线宽、波长稳定性好，以及EAM调制器的高带宽、低啁啾特性。与直接调制激光器相比，EML在高速传输时能有效抑制频率啁啾，极大地降低了信号在光纤传输中的色散代价；与马赫-曾德尔调制器相比，EML具有体积更小、驱动电压更低、功耗更小的优势，非常适合高密度集成的光模块应用。
目前市场主流EML产品已从早期的10G、25G演进至100G，并正在向200G及更高速率迈进。25G及以下速率主要用于光纤接入和中短距传输；50G至100G EML是当前400G/800G光模块的主流选择；而200G EML则是未来1.6T乃至3.2T超高速光模块的关键器件。根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2030年全球及中国EML行业研究及十五五规划分析报告》显示，2025年全球EML市场规模超过40亿元。
长期以来，高端EML市场被美国Lumentum、Coherent、博通以及日本三菱电机、住友电工等少数几家国际巨头把持。这些企业掌握着核心外延生长技术和大规模量产工艺，占据了全球90%以上的高端市场份额。
面对“卡脖子”风险，中国光芯片企业正迎来历史性的发展机遇。以源杰科技、长光华芯、索尔思光电、光迅科技为代表的国内厂商，通过IDM（垂直整合制造）模式，在25G/100G EML芯片上已实现技术突破和批量出货。例如，源杰科技的100G EML芯片已进入全球头部光模块厂商供应链；长光华芯发布了支持800G光模块的8通道100G EML芯片，展现了强大的研发实力。
未来，随着单波200G技术的成熟及CPO（共封装光学）等新技术的演进，EM将向更高速率、更高集成度方向发展。在AI基建浪潮与供应链重构的双重驱动下，具备IDM能力与核心技术优势的厂商将占据主导地位，行业前景持续向好。
新思界
行业分析师表示，单波200G EML将成为下一代研发重点，以支撑3.2T光模块的实现。同时，EML将与硅光技术形成互补而非替代的关系：在长距离、高性能场景下，EML凭借其稳定性仍将占据主导；而在短距、低成本场景下，EML作为硅光方案的外置光源（CW激光器）也将迎来新的增长点。
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