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供需缺口掀起DRAM涨价潮 三星美光海力士成赢家

2017-10-12 17:29      责任编辑:丹枫    来源:www.newsijie.com    点击:
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供需缺口掀起DRAM涨价潮    三星美光海力士成赢家

        2016年第4季DRAM严重供不应求,带动2017年第一季的合约价上涨超过30%,各类产品价格均上涨。DRAM作为半导体存储器的产品类型之一,常见产品形态是内存条,主要的两个应用市场是PC和智能手机。DRAM涨价潮背后是仍在扩大的供需缺口。一方面,国产品牌手机出货量持续增长至2017下半年达到高潮,另一方面,上游制造商三星电子、SK海力士、美光科技对市场具有长期垄断地位且掌握市场定价权。当下,以DRAM为代表的半导体存储器在全球范围内掀起涨价潮。

        国产手机开始涨价

        内存作为智能手机核心硬件之一,一直以来依赖进口。存储器作为一种根据库存、需求、产能因素变化而具有明显周期性的行业,这一轮涨价大幅增加了国产智能手机和PC厂商的成本,特别是存储器成本占比相对较高的中低端智能手机,侵蚀了竞争激烈、利润微薄的智能手机产业,PC厂商则面临PC出货下滑与存储器供给严重不足的双重压力。当下,目前部分智能手机已经涨价,幅度在100-500元不等。

        苹果发布88-90%屏占比的iPhone X后,这场自今年下半年开始在国内全面打响的手机全面屏之战进入高潮。

        三星、美光成最大赢家
 

        DRAM市场格局仍以三星电子、美光科技、SK海力士三大寡头竞争为主,三家企业分别占据市场份额50.2%。

        7月初,三星电子发布的二季度业绩展望报告显示,营业利润创5年来季度利润新高,同比增长近72%达到14万亿韩元(约合121亿美元)。集团在业绩展望中称业绩受到芯片业务强劲表现的提振。

        9月底,美光科技发布的第四财季度创下的61.4亿美元营收超越了华尔街分析师预期,比同期增长91%。其中DRAM产品销售增长5%,由于DRAM产品利润率增长,该季度毛利率为50.7%。

        新思界行业分析师表示,涨价背后也和三大厂供给收缩有关。当下,半导体产业正经历一场技术迭代升级,即2D NAND Flash(二维闪存)转移至3D NAND Flash(三维闪存),三大厂纷纷进入闪存迭代升级的产线建设同时,对于DRAM的开发和资本投入方面相对保守。预计到2018年,随着3D NAND Flash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产,存储器供应紧张的局面将有希望缓解。

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