硅单晶抛光片是以电子级高纯硅为核心原料，通过直拉法（CZ）、磁场直拉法（MCZ）、悬浮区熔法（FZ）等工艺制备高品质单晶硅锭，再经切片、倒角、研磨、化学腐蚀、化学机械抛光（CMP）、超净清洗、精密检测及洁净包装等多道精密工序，最终形成表面超平整的镜面级半导体硅衬底材料，是集成电路与各类半导体器件的核心基底材料。
目前商用硅单晶抛光片主流尺寸涵盖150mm、200mm、300mm等规格，产品种类包括单面抛光片、双面抛光片、轻掺抛光片、重掺抛光片、高阻抛光片、FZ区熔抛光片，以及适配晶圆测试、工艺监控场景的专用新制抛光片。该产品核心性能指标包含晶圆平整度、总厚度偏差、翘曲度、表面粗糙度、表面颗粒、金属杂质污染、微观晶体缺陷、电阻率均匀性及氧沉淀状态等。
从掺杂浓度差异来看，硅单晶抛光片可分为四大主流品类：P型轻掺抛光片，以硼元素为主要掺杂介质，是DRAM、NAND Flash等存储芯片制造的核心基底材料；N型轻掺抛光片，主要采用磷元素轻掺杂工艺制备；P型重掺抛光片，通过高浓度硼元素掺杂实现导电特性调控；N型重掺抛光片，以磷、砷、锑等高浓度掺杂元素为主，适配各类功率器件与特色工艺芯片场景。
2019年6月1日，国家标准GB/T 12964-2018《硅单晶抛光片》实施，该标准适用于直拉法、悬浮区熔法制备的直径不大于200mm的硅单晶抛光片，产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。
硅单晶抛光片是半导体制造产业链最上游基础材料，作为必备衬底支撑存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、图像传感器、功率器件、射频器件、MEMS器件及各类分立器件的规模化制造。
在存储芯片领域，硅单晶抛光片是DRAM内存芯片（含高带宽存储器HBM）、NOR与NAND闪存等主流存储器件的核心基底材料。在逻辑芯片领域，该产品广泛应用于MCU微控制芯片、CPU处理器、电源管理芯片（PMIC）等通用及高端逻辑半导体产品。
在图像传感器领域，硅单晶抛光片作为外延基底，可用于制造安防监控、移动端摄像、医疗检测等场景所用的CMOS图像传感器（CIS）器件。在功率器件领域，该产品适配600~1200V高压功率器件制造，同时可满足高频半导体器件与滤波器件的工艺需求。
新思界
行业分析人士表示，我国硅单晶抛光片市场布局企业主要包括立昂微、西安奕材、中晶科技、中欣晶圆、神工股份等。2025年6月，中欣晶圆丽水12英寸抛光片项目正式通线，未来两年将逐步提升至每月50万片产能。2026年7月，中晶科技在接受调研者提问时表示，募投项目6~8英寸抛光硅片正处于批量交付阶段。
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