GaN HEMT，全称为氮化镓高电子迁移率晶体管，指基于氮化镓（GaN）宽禁带半导体材料制成的场效应晶体管。GaN属于直接宽禁带半导体材料，能隙约达3.4eV，这一特性使GaN HEMT能够承受更高击穿电场。GaN HEMT具备高频特性优异、功率密度高、导通电阻低、开关耗损低、耐高温、耐高压等特点，在通信系统以及电力系统领域需求旺盛。
GaN HEMT有多种类型。按照衬底材料不同，GaN HEMT可分为GaN-on-Si HEMT、GaN-on-SiC HEMT和GaN-on-Sapphire HEMT；按照工作模式不同，可分为增强型（E-mode，常关型）GaN HEMT和耗尽型（D-mode，常开型）GaN HEMT；按照用途不同，可分为射频GaN HEMT和功率GaN HEMT。未来随着细分产品应用需求增长，我国GaN HEMT行业发展速度有望加快。
GaN（氮化镓）为GaN HEMT基材，占据其较大生产成本。GaN制备方法包括分子束外延法（MBE）、金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）以及氢化物气相外延法（HVPE）等。MBE法采用Ga的分子束作为镓源、NH₃作为氮源制备GaN；MOCVD法以三甲基镓（TMGa）作为镓源，以氨气（NH₃）作为氮源制备GaN，适合进行批量生产。随着技术进步，我国GaN产量及质量有望提升，这将为GaN HEMT行业发展提供有利条件。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，GaN HEMT在通信系统以及电力系统领域需求旺盛。在通信系统领域，GaN HEMT制作的功率放大器具有高效率特性，可用于5G/5G-A宏基站以及卫星通信场景；在电力系统领域，其可用于数据中心电源、消费快充适配器以及汽车车载电源中。在应用需求带动下，GaN HEMT市场规模不断增长，2025年同比增长超过15%。
我国GaN HEMT代表企业包括广东致能半导体有限公司、三安光电股份有限公司、英诺赛科（苏州）科技股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等。英诺赛科专注于低压（100V-650V）GaN HEMT的研发、生产及销售，产品已在快充场景获得广泛应用。据英诺赛科企业年报显示，2025年公司氮化镓分立器件及氮化镓集成电路实现营收5.1亿元。
新思界
行业分析人士表示，GaN HEMT作为宽禁带半导体器件，凭借高频、高功率密度、低损耗等优势，已在众多领域实现规模化应用。受益于技术进步以及原材料供应量增长，我国GaN HEMT行业景气度有望提升。目前，我国已有多家企业布局GaN HEMT行业研发及生产赛道，未来具备高性能产品生产实力的企业将占据市场更大空间。
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