动态随机存取存储器（DRAM），指能够暂时存储在计算系统中需要被快速访问数据的半导体存储器。DRAM具备结构简单、读写速度快、延迟低等特点，在数据中心、消费电子以及汽车电子等领域拥有广阔应用前景。
近年来，国家对于半导体存储器行业发展高度重视，已出台多项相关政策，主要包括《电子信息制造业数字化转型实施方案》、《算力互联互通行动计划》、《算力基础设施高质量发展行动计划》、《国家数据基础设施建设指引》等。未来伴随国家政策支持，DRAM作为半导体存储器代表产品，行业发展速度将进一步加快。
按照对应终端设备类型不同，DRAM可分为DDR、LPDDR、GDDR以及HBM。HBM，全称为高带宽内存，基于3D堆叠工艺制成。与DDR和LPDDR相比，HBM可实现带宽数量级提升，在AI加速器、高端GPU等带宽敏感场景应用较多，未来随着HBM市场空间不断扩展，DRAM行业发展速度有望加快。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年动态随机存取存储器（DRAM）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，DRAM在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括数据中心、消费电子以及汽车电子等。在数据中心领域，DRAM可用于数据中心AI服务器中，该领域为其最大需求端。近年来，随着算力需求增长，我国数据中心建设进程有所加快。据国家工信部统计数据显示，2025年我国三家基础电信企业对外提供服务数据中心机架数量达93.8万个，较上年增加10.8万个。在此背景下，DRAM行业发展空间将得到进一步扩展。
全球DRAM市场主要参与者包括韩国三星电子（Samsung Electronics）、韩国SK海力士（Hynix）以及美国美光科技（Micron Technology）。三星电子主营产品包括DDR型、LPDDR型及HBM型DRAM，目前已完成DDR6原型芯片设计。
在本土方面，长鑫科技、兆易创新、紫光国芯、北京君正以及佰维存储等为我国DRAM代表企业。长鑫科技专注于DRAM的设计、研发、生产和销售，目前已在合肥、北京等地建立12英寸DRAM晶圆厂。据长鑫科技企业招股书显示，2026年第一季度，公司实现营收5.1亿元。
新思界
行业分析人士表示，DRAM作为现代计算体系核心存储介质，在众多领域需求旺盛。未来随着我国数据中心建设进程加快，DRAM行业景气度将得到进一步提升。目前，全球DRAM市场被韩国和美国占据主导。未来随着本土企业持续发力，我国DRAM市场国产化进程将不断加快。
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