高带宽内存（HBM），指基于3D堆栈工艺，通过垂直堆叠多层DRAM芯片并利用硅通孔技术（TSV）与微凸点实现层间互连的存储器。高带宽内存具备带宽能力强、能耗低、尺寸紧凑、密度高、响应速度快等优势，在AI训练与推理、AI服务器与数据中心、智能汽车与自动驾驶等领域拥有广阔应用前景。
发展至现阶段，高带宽内存已经有七代产品，分别为HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4以及HBM4E。HBM4采用2048位接口，传输速率为8Gb/s，总带宽为2TB/s，在人工智能、高端显卡以及高性能计算等领域拥有巨大应用潜力。目前，全球已有部分企业具备HBM4量产能力，这将为高带宽内存行业发展提供有利条件。
高带宽内存在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括AI训练与推理、AI服务器与数据中心、智能汽车与自动驾驶等。在AI训练与推理领域，高带宽内存能够支撑大语言模型，使GPU高效处理大规模并行计算任务；在AI服务器与数据中心领域，其可为AI加速器提供超高带宽、低功耗以及低延迟数据访问通道；在智能汽车与自动驾驶领域，其可用于路况识别场景。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年高带宽内存（HBM）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，随着应用需求日益旺盛，高带宽内存市场空间不断扩展。2025年全球高带宽内存市场规模达到近250亿美元，同比增长超过30%。未来随着技术进步，高带宽内存行业景气度将得到进一步提升。预计到2030年，全球高带宽内存市场规模将突破950亿美元。
全球高带宽内存市场主要参与者包括韩国三星电子（SAMSUNG）、韩国SK海力士（SK hynix）、美国美光科技（Micron Technology）等。SK海力士主营产品包括HBM3E、HBM4以及SOCAMM2等，占据全球高带宽内存市场近五成份额。
在本土方面，我国高带宽内存代表企业包括武汉新芯、长鑫存储、中天精装、大普微、怡亚通等。武汉新芯计划推进12英寸HBM晶圆生产项目建设，建成后其月产能将达到3000片。长鑫存储已成功开发出12层堆叠HBM3样品，产品将于2026年年底之前实现量产。
新思界
行业分析人士表示，高带宽内存已成为AI算力基础设施核心组件，未来随着应用需求日益旺盛，其行业发展空间有望扩展。在行业发展初期，受技术壁垒高、生产成本高等因素限制，美国和韩国长期占据全球高带宽内存市场主导地位。未来随着本土企业持续发力，我国高带宽内存市场国产化进程有望加快。
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