7N5高纯砷是指纯度达到99.999995%的单质砷材料。按纯度等级划分，高纯砷通常可分为5N级（99.999%）、6N级（99.9999%）、7N级（99.99999%）与7N5级（99.999995%），其中7N5是目前半导体领域可实现批量供应的最高纯度等级高纯砷。7N5高纯砷对Cu、Ag、Mg、Sb、Ni、Zn等二十余种杂质元素设置严格限值，材料总杂质含量需控制在0.05ppm以下。
单质砷原子量74.92，密度5.727 g/cm3，熔点817 ℃，常压下614 ℃发生升华，外观为银灰色金属晶体，质地硬脆，带有金属光泽，在潮湿环境中易被氧化，不溶于水。7N5高纯砷商品常以锭、棒、块、颗粒等形态对外供应，为规避氧化与外界杂质污染，一般采用聚酯-塑料复合膜真空封装，或是石英管真空密封的包装形式。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年全球及中国7N5高纯砷行业研究及十五五规划分析报告》显示，7N5高纯砷主要应用于III-V族化合物半导体领域，可用来制备砷化镓（GaAs）、砷化铟（InAs）等化合物半导体单晶衬底，同时也可充当硅、锗单晶的N型掺杂剂。在砷化镓产业链中，高纯砷是决定衬底性能的关键原料，其纯度水平直接影响下游器件的发光效率与高频性能。依托7N5高纯砷制备的砷化镓单晶衬底，广泛应用于5G基站射频功率放大器、800G高速光模块、车载雷达、低轨卫星通信芯片等产品。
7N5高纯砷制备一般采用多级联合提纯工艺。工业生产以铜、铅等有色金属冶炼烟尘副产物或高品位砷矿为基础原料，先通过氧化-蒸馏工艺去除大部分杂质，制备得到高纯三氧化二砷；经深度洗涤净化后，再通过还原工序制得6N级高纯砷半成品；最后依托多级真空精馏深度除杂，进一步脱除微量杂质，最终提纯得到7N及7N5级超高纯砷产品。
在我国，中南大学团队于2024年底在高纯砷制备技术领域取得重大突破，成功从危废渣中提炼出纯度7N以上的高纯单质砷，并完成6项关键核心技术的专利布局，目前相关成套技术已在河南三门峡实现产业化应用。2026年8月底，四川嘉美半导体材料有限公司年产100吨高纯砷项目投料试生产，通过自主研发提纯工艺将产品纯度稳定在7N水平。
新思界
行业分析人士表示，现阶段，我国已经实现7N高纯砷量产，但7N5高纯砷行业整体仍处于小批量生产阶段，大规模商业化生产企业数量少。扬州中天利新材料股份有限公司可稳定产出6N~7N5级高纯砷并对外供货，是国内少数可供应7N5高纯砷的厂商。
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