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5N5超纯铝主要用来制造半导体溅射靶材 市场需求持续释放

2026-09-23 17:31      责任编辑:周圆    来源:www.newsijie.com    点击: 次

5N5超纯铝主要用来制造半导体溅射靶材 市场需求持续释放

  5N5超纯铝是指纯度可达99.9995%的超高纯铝材料,属于超高纯铝范畴。超高纯铝是以铝为主元素、纯度达到或超过5N、杂质含量极低的铝金属材料。
 
  2025年5月1日,我国行业标准YS/T 275-2024《高纯铝锭》实施,规定牌号Al99.9995(5N5)的铝含量不小于99.9995%,Si、Fe、Cu、Zn、Ti、Ga、Pb等关键杂质元素均有严格限值要求,其中Si不大于1.0μg/g,Fe、Cu不大于0.5μg/g。
 
  根据新思界产业研究中心发布的《2026-2030年全球及中国5N5超纯铝行业研究及十五五规划分析报告》显示,5N5超纯铝核心应用场景为半导体溅射靶材。从下游需求结构来看,半导体行业为第一大应用市场,产品主要用于芯片金属互连层、电极以及阻挡/粘附层制备;平板显示领域为第二大应用方向。2025年,我国集成电路芯片产量超过4800亿块,同比增速超过10%,带动5N5超纯铝溅射靶材市场需求旺盛。除此之外,5N5超纯铝还可应用于国防军工领域,用于雷达罩/航天器关键构件焊料、航空惯性制导陀螺仪屏蔽壳体等核心零部件生产。
 
  目前,5N5超纯铝的工业化制备方法主要包括偏析法(含定向凝固法)和三层电解法两大技术路线。偏析法是超高纯铝主流物理提纯工艺,核心原理是依托杂质元素在铝熔体固、液两相中的平衡分配系数差异实现杂质分离提纯,与三层电解法相比,该方法具有流程简洁、能耗较低的优点。
 
  在我国,上海交通大学开发出“超高纯铝高效提纯技术”,采用定向凝固偏析法,制备出国内首块5N5和首块6N超高纯铝锭,获得上海技术发明一等奖。2007年,上海交通大学超高纯铝定向凝固制备专利技术转让给南通泰德电子材料科技有限公司,制备得到的产品纯度达到5N6以上。
 
  新疆众和股份有限公司掌握三层电解法与偏析法超高纯铝生产工艺,可批量生产5N~6N超高纯铝,下游客户包括AI电容、液晶面板、半导体铝靶材生产企业;该公司是全球高纯铝生产规模最大的企业,占全球约30%,其500吨/年超高纯铝靶坯扩产项目预计2026年四季度试生产。
 
  哈尔滨同创普润集团有限公司龙江学子创业园(一期)已建成超高纯铝生产线,可生产99.9999%(6N)超高纯铝锭。
 
  新思界行业分析人士表示,现阶段,AI服务器出货规模快速扩张,单机功率与工作电压持续提升,带动铝电解电容、超级电容及MLPC需求上行,拉动电极箔用超高纯铝市场增长。与此同时,半导体产业稳步扩容,超高纯铝溅射靶材及其原材料的国产化进程加速,共同驱动我国5N5超纯铝市场需求持续释放。
 
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