碳化硅衬底激光剥离设备是一种重要的半导体设备，主要用于碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程中。
碳化硅（SiC）材料及其器件具有高耐压、高耐温、高电子迁移率、抗辐射能力强、禁带能隙宽等优势，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、无线通信等领域具有广阔应用空间。但由于成本高，碳化硅材料及其器件规模化应用受到了极大限制。
切割是碳化硅最关键的加工工艺，由于碳化硅自身硬度大且脆性高，碳化硅切割破损率较高，切割成本占整个加工成本的50%以上。多线切割是目前碳化硅主流切割工艺，分为砂浆线切割、金刚石线切割，但多线切割存在材料损耗率高、加工周期长、加工效率低下、工艺适配性低等问题。
碳化硅衬底因其生产速度慢、良率低，成为碳化硅器件成本占比最高的材料，降低切割损耗是降低碳化硅衬底成本的关键路径。激光剥离技术具有材料耗损小、切割精度高、出片率高、效率高等优势，解决了碳化硅衬底切割难题，尤其是大尺寸（8英寸/12英寸）碳化硅衬底。
根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2029年碳化硅衬底激光剥离设备行业市场供需现状及行业经营指标深度调查分析报告》显示，近年来，碳化硅衬底激光剥离技术及设备受到了广泛关注，我国相关研制企业包括西湖仪器（杭州）技术有限公司、深圳平湖实验室、深圳市大族半导体装备科技有限公司、中国电子科技集团第二研究所、江苏通用半导体有限公司、宁波丞达精机股份有限公司等。
西湖仪器由西湖大学孵化，率先推出了8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备（已获“国内首台（套）装备”认定）及12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案。
目前碳化硅衬底产线仍停留在6英寸，但在降本增效背景下，碳化硅衬底尺寸从6英寸升级至8英寸、12英寸是未来重要趋势。近年来，我国在大尺寸碳化硅衬底制备技术方面取得了重大突破，天岳先进、天科合达、三安光电、同光股份、烁科晶体、百识电子、普兴电子等企业已展示出8英寸/12英寸碳化硅衬底样品，2025-2026年将成为8英寸碳化硅衬底量产爬坡关键阶段。
新思界
行业分析人士表示，激光剥离技术在提高碳化硅衬底生产效率、降低成本方面具有显著效果，有助于促进大尺寸（8英寸/12英寸）碳化硅衬底产业化进程。目前激光剥离技术在尚未大规模导入碳化硅衬底量产线，但随着大尺寸碳化硅衬底量产进程推进、行业降本增效需求释放，激光剥离技术及设备应用空间将不断扩大。
关键字：
