I-线光敏型聚酰亚胺绝缘材料是以I-线（汞灯365nm谱线）作为曝光光源的聚酰亚胺材料，受紫外照射可发生光交联或光降解反应，归属于光敏聚酰亚胺（PSPI）品类。该材料融合了聚酰亚胺本身优异的耐热性、机械强度与介电特性，同时具备光敏特性，能够直接借助光刻工艺完成精细图形化加工，无需额外制备光刻掩膜，简化了传统光刻加工工序。
I-线光敏型聚酰亚胺绝缘材料固化膜耐热性高于400℃，兼具低介电常数、低热膨胀系数、高玻璃化转变温度等特点。该材料感光机理取决于光敏基团与聚酰亚胺前驱体的组合方式：正型体系在曝光前因二叠氮类光敏化合物的阻溶作用难溶于碱性显影液，曝光后光敏化合物发生转化使曝光区域可溶；负型体系则通过光交联或光致碱产生使曝光区域难溶，从而形成与掩模版相反的图案。
在晶圆级封装领域，负型I-线光敏型聚酰亚胺绝缘材料作为再布线层（RDL）介电材料，借助光刻工艺制备可多层堆叠的精细图案，实现芯片之间的水平互连。在扇出型晶圆级封装（FOWLP）结构内，铜导线与高分子介电层交替堆叠；该材料凭借优良的附着力、耐化学性以及可返工特性，成为该封装结构常用的介电层材料。
I-线光敏型聚酰亚胺绝缘材料制备包含聚酰胺酸前驱体合成、光敏基团引入与配方调配三大核心工序。首先，二酐单体与二胺单体在极性溶剂中发生缩聚反应，制得聚酰胺酸溶液；后续可通过化学亚胺化或热亚胺化转化为聚酰亚胺树脂。光敏基团的引入方案随正、负型体系有所区别：正型体系一般将二叠氮萘醌类感光剂分散至碱溶性聚酰亚胺树脂体系内；负型体系可通过酯化反应在聚酰胺酸侧链接枝光交联基团，或是添加光致碱产生剂实现光敏特性。
新思界
行业分析人士表示，在我国，I-线光敏型聚酰亚胺绝缘材料布局企业（涵盖量产、小批量交付、试生产、客户验证阶段）主要有吉林奥来德光电材料股份有限公司、江苏艾森半导体材料股份有限公司、波米科技有限公司、武汉柔显科技股份有限公司、明士新材料有限公司等。
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