钼/硅多层膜（Mo/Si多层膜）是一种由钼（Mo）和硅（Si）交替堆叠形成的纳米级薄膜结构。
Mo/Si多层膜主要用于反射极紫外（EUV）光，膜层经厚度优化，可以在特定入射角范围内获得高反射率。根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2030年中国钼/硅多层膜（Mo/Si多层膜）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，在13.5nm波长附近，Mo/Si多层膜能够达到近70%的反射率，在自由电子激光、天文观测、同步辐射、可控聚变、极紫外光刻等领域具有极大应用价值。
由钼/硅多层膜堆叠而成的多层膜反射镜是EUV光刻机的核心光学元件之一，其能够提供反射、聚焦等功能以引导光束传输。EUV光刻机是制造高密集度半导体芯片的核心设备，技术壁垒高，荷兰阿斯麦（ASML）于2010年代后期实现了极紫外光刻机商业化，目前仍是全球唯一制造供应商。
Mo/Si多层膜沉积工艺分为磁控溅射、电子束蒸镀、离子束溅射等。磁控溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，即在真空腔体中，通过高能离子（如氩离子）轰击靶材，使靶材原子溅射出来并沉积在基底上，同时在磁场约束下，提高等离子体密度和溅射效率。
Mo/Si多层膜精度要求高、沉积工艺复杂，目前全球能够实现Mo/Si多层膜商业化的企业仍较少，其中德国optiXfab公司于2012年实现了德国弗劳恩霍夫光机所Mo/Si多层膜专利技术商业化。此外日本GIGAPHOTON株式会社在Mo/Si多层膜上也有研究。
我国Mo/Si多层膜发展较为落后，市场需求多依赖进口。我国Mo/Si多层膜研制单位包括上海光机所、长春光机所、哈尔滨工业大学、同济大学精密光学工程技术研究所等，近年来，我国在Mo/Si多层膜领域取得了显著进展，部分领域Mo/Si多层膜已可自主承担制造，如同步辐射反射膜。
在企业方面，福晶科技通过子公司CASTECH切入极紫外多层膜反射镜，其Mo/Si多层膜反射率已满足实验室验证需求，达68%。Mo/Si多层膜是EUV光刻机反射镜中最常见组合，但其对13.5nm EUV波段光的反射率最高也仅在70%，未来仍需开发更高反射率的反射镜材料。
新思界
行业分析人士表示，EUV光刻机主要用于制造高端先进半导体器件，随着半导体工艺节点向7nm及以下推进，EUV光刻机重要性将进一步凸显。国外EUV光刻机对华出口管制，我国亟需实现EUV光刻机国产化突破，Mo/Si多层膜作为EUV光刻机反射镜核心结构，国产替代空间广阔。
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