光刻胶剥离液是半导体制造所需重要材料之一。在大规模集成电路制造过程中，光刻技术是精细线路图形加工的核心工艺，一般需经过底膜准备、涂光刻胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、离子注入、去除光刻胶等步骤。光刻胶剥离液是去除光刻胶步骤所需主要材料，主要发挥着在形成电路图案后，通过剥离液使光刻胶膨胀、软化并溶解，达到将剩余光刻胶完全去除目的。
光刻胶剥离液属于湿电子化学品中关键制剂之一，已在半导体、集成电路、光伏、显示面板等领域实现广泛应用。伴随着光刻胶渗透率大幅提升，光刻胶剥离液市场得以快速发展。2022年全球光刻胶市场规模约为25亿美元，同比增长7.8%。在此背景下，根据新思界产业研究中心发布的
《2023-2028年光刻胶剥离液行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，2022年全球光刻胶剥离液市场规模约为7亿美元。
光刻胶剥离液技术要求较高，不仅需具备快速且彻底清除微电路中剩余光刻胶作用，还需具备极低金属腐蚀作用，避免对微电路上铜、铝、银、锡、锡银等金属层或介质层造成腐蚀，导致最终制成的半导体器件性能降低。同时，随着半导体、显示面板行业朝高功率、微型化方向不断发展，芯片电路关键尺寸越来越小，对光刻胶剥离液要求逐步升高。因此，具备优异的去胶性能、清洗效率以及更低金属蚀刻速率特性的高性能光刻胶剥离液将是行业未来发展主要方向。
现阶段，已问世的光刻胶剥离液主要包括针对不同光刻胶剥离需求研发的正性光刻胶剥离液和负性光刻胶剥离液两种。未来相关企业仍需加大光刻胶剥离液产品研发力度，推动其品类不断增加、高性能产品不断涌现。
光刻胶剥离液行业技术壁垒较高，布局该领域的企业主要有美国杜邦、韩国东进世美肯、德国默克、日本东京应化工业、日本NCX等国际企业以及奥首材料、西陇科学、ST澄星、格林达电子、容大感光、雅克科技、新宙邦等本土企业。
新思界行业分析人士表示，近年来，随着全球半导体产业向中国转移趋势不断加深，我国光刻胶剥离液市场发展迅速，国产化替代进程正不断加快，行业发展趋势向好。同时，国内企业正积极布局高性能光刻胶剥离液研发赛道，目前已取得较大进展，例如，2023年浙江奥首材料科技开发的高性能光刻胶剥离液产品“14nm节点以上芯片光刻胶剥离液”已实现量产。未来随着本土企业研发进程不断加快，我国光刻胶剥离液市场国产替代进程有望持续提速。
