硅基电容器，是采用物理或化学沉积的方法在重掺硅衬底上沉积介质薄膜，再在硅衬底和介质薄膜层的表面金属化处理形成电极，最后通过切割而成的电容器。
根据结构不同，硅基电容器分为平面型硅基电容器、3D结构式硅基电容器等。硅基电容器具有高温稳定性、高可靠性、高绝缘阻抗性、耐老化性等特性，能够适应极端温度、高频振荡、强电磁干扰等严苛工作环境，在航空航天、消费电子、汽车、微波通信、军事等领域应用潜力大。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年全球及中国硅基电容器行业研究及十五五规划分析报告》显示，随着市场对电容元器件的性能要求持续升级，硅基电容器凭借独特材料特性，逐步成为高端应用场景的优选方案，行业发展趋势向好。2025年全球硅基电容器市场规模约为80.5亿元，预计未来全球市场将保持增长趋势，2026-2030年期间年复合增长率将为7%。
受工艺壁垒、专利封锁、认证周期长等因素影响，全球硅基电容器市场呈现寡头垄断的竞争格局。日本村田（Murata Manufacturing Co., Ltd.）、日本TDK、美国威世科技（Vishay Intertechnology, Inc.）、日本罗姆半导体（ROHM）等是全球硅基电容器市场领先供应企业。
我国参与硅基电容器研发、生产的企业包括天极科技、宏衍微电子、江苏矽谦半导体、上海朗矽科技、苏州聚谦半导体等。天极科技已取得“一种3D硅基电容器及其制备方法”、“高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法”等多项发明专利。苏州聚谦半导体聚焦功率分立器件、硅基电容、硅基集成无源器件（IPD）及硅中介层三大业务板块，其高端硅基电容生产基地项目正在稳步推进，建成后将进一步提升我国高端硅基电容器的产能供给能力。
我国硅基电容器相关标准包括：团体标准《CF1101型硅基电容器技术规范（T/GDEIIA 06—2023）》、企业标准《硅基电容器（Q/TJKJ 5-2021）》等。标准体系逐渐完善，推动我国硅基电容器行业规范化发展、有序化竞争。
新思界
行业分析人士表示，硅基电容器综合性能优良，在多个领域拥有良好应用前景。受多重因素影响，美日企业在全球硅基电容器市场占据主导地位。随着本土企业持续加大研发投入，并突破核心工艺壁垒，我国已有多家企业实现规模化批量生产，受此带动，我国硅基电容器国产化率逐渐提升。
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