磷化铟衬底，简称InP衬底，指以磷化铟单晶为基材制成的衬底材料。磷化铟衬底具备热稳定性好、电子迁移率高、饱和电子漂移速度高、可实现光电转换、抗辐射能力强等优势，在数据中心、通信系统、消费电子以及航空航天等众多领域拥有潜在应用价值。
国家对于磷化铟衬底行业发展高度重视，已出台多项相关政策。2024年1月1日，由国家工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》正式实施，文件明确将4-6英寸低位错密度掺硫磷化铟单晶衬底、2-4英寸高品质磷化铟晶片等纳入先进半导体材料和新型显示材料目录。未来伴随国家政策支持，我国磷化铟衬底行业发展速度将进一步加快。
磷化铟衬底以磷化铟单晶为基体材料。垂直温度梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）等为磷化铟单晶主要制备方法。垂直温度梯度凝固法可用于制备大尺寸磷化铟单晶，具备界面控制精准、晶体质量高、生产效率高等优势。未来随着技术进步，我国磷化铟单晶产量及质量有望提升，这将为磷化铟衬底行业发展提供有利条件。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年中国磷化铟衬底（InP衬底）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，磷化铟衬底在众多领域拥有潜在应用价值，主要包括数据中心、通信系统、消费电子以及航空航天等。在数据中心领域，磷化铟衬底可用于制造800G、1.6T及以上速率光模块，该领域为其最大需求端。近年来，随着技术进步，我国光模块行业发展速度不断加快。2025年我国1.6T光模块出货量占据全球总出货量近五成。在此背景下，我国磷化铟衬底行业发展将迎来机遇。
全球磷化铟衬底市场主要参与者包括美国AXT公司以及日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）。在本土方面，我国磷化铟衬底主要生产企业包括云南锗业、博杰股份以及北京通美。云南锗业子公司鑫耀半导体已具备2-6英寸磷化铟衬底量产能力，产品质量位居行业领先。
新思界
行业分析人士表示，磷化铟衬底作为一种半导体材料，在光模块制造过程中应用较多。未来随着数据中心建设速度加快，光模块应用需求不断增长，将为磷化铟衬底行业发展带来机遇。目前，我国企业已具备大尺寸磷化铟衬底自主研发及生产实力，未来其行业发展态势将持续向好。
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