硅基碲镉汞外延片，以硅材料为衬底，在其表面之上生长碲镉汞外延层，用来制造红外探测器。
碲镉汞（HgCdTe，简称MCT），是一种重要的、应用广泛的红外探测材料，具有本征载流子浓度低、带隙连续可调、响应速度快、光吸收系数高、量子效率高等特点。分子束外延（MBE），是碲镉汞生长的重要技术之一，可以制备红外焦平面探测器用高性能碲镉汞外延片，近年来发展迅速。
通常在碲锌镉（CdZnTe，简称CZT）衬底或者硅（Si）衬底之上生长碲镉汞。碲锌镉与碲镉汞晶格匹配，利于生长碲锌镉基碲镉汞外延片，而硅与碲镉汞存在晶格失配问题，利用硅衬底外延生长得到的硅基碲镉汞外延片存在位错密度较高问题，使材料表面与内部产生缺陷，影响红外探测器性能。
硅基碲镉汞外延片制备，是以硅晶圆为衬底，对其表面进行预处理后，在硅晶圆表面上利用分子束外延技术生长碲镉汞外延层。在分子束外延生长过程中，生长温度、束流比会对碲镉汞外延层位错密度造成较大影响。因此硅基碲镉汞外延片生长过程控制要求高，制备工艺难度大。
碲镉汞红外探测器具有波段覆盖范围广（包括短波、中波、长波）、灵敏度高、图像质量高等优点，是高端红外探测器产品，可以应用在军工、科研领域。红外焦平面，也称红外焦平面阵列，英文简称IRFPA，能够同时捕捉与处理大量红外信号，灵敏度更高，探测性能更为优异。碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展，使得更大尺寸、更高性能硅基碲镉汞外延片需求日益旺盛。
新思界
行业分析人士表示，从大尺寸硅基碲镉汞外延片方面来看，中国电子科技集团公司第十一研究所研制出4英寸硅基碲镉汞外延片，采用分子束外延技术进行制备，可用于单片大面阵红外探测器制造领域，技术达到国际先进水平，被列入《中央企业科技创新成果产品手册（2022年版）》推荐目录。
从高性能硅基碲镉汞外延片方面来看，掺杂工艺是提高硅基碲镉汞外延片组分均匀性、电学性质的重要手段之一。2023年3月，华北光电技术研究所（中国电子科技集团公司第十一研究所）科研团队，利用分子束外延设备生长出In（铟）掺杂硅基碲镉汞，提高了材料的均匀性以及电子迁移率，相关研究成果发表于《红外》期刊。
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