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薄膜铌酸锂调制器应用优势更高 未来市场发展空间广阔

2023-04-30 21:16      责任编辑:程玉    来源:www.newsijie.com    点击:
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  薄膜铌酸锂(LNOI)是指利用Smart-cut工艺在硅基底材料上制造而成的厚度为300~900nm的铌酸锂单晶层。薄膜铌酸锂调制器则是利用薄膜铌酸锂晶体制造而成的电光调制器。
 
  与传统铌酸调制器相比,薄膜铌酸锂调制器具有小尺寸、高带宽、低Vπ、高集成度、可批量化生产等优点,可大幅提升单位面板传输密度与降低生产成本,目前已成为电光调制器行业的聚焦点。根据工作原理不同,薄膜铌酸锂调制器可分为薄膜铌酸锂相位调制器与薄膜铌酸锂强度调制器。
 
  薄膜铌酸锂调制器是铌酸锂调制器的升级产品,在光通信、有线电视、数据中心、微波光子、光纤陀螺、光纤传感、视频传输等领域有着更高应用优势。当前在下游应用领域快速发展背景下,5G、AI、云服务、虚拟现实等新技术应用的不断扩展带动高速、高带宽、高容量、低能耗光调制需求不断增加。因此,为满足日益升级的光调制需求,性能更高的薄膜铌酸锂调制器市场得以快速发展。
 
  根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年薄膜铌酸锂调制器行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示,目前薄膜化已成为电光调制器未来技术升级的重要方向,预计到2025年,全球薄膜铌酸锂调制器市场规模有望达到9.5亿美元,行业成长空间巨大。
 
  薄膜铌酸锂调制器研发与生产难度较大,技术壁垒较高,尤其是铌酸锂薄膜的图形化技术。铌酸锂单晶薄膜质地较硬,难以刻蚀,湿法刻蚀、干法刻蚀等现有的图形化技术路线对薄膜铌酸锂加工精度较低、刻蚀速率较慢,因此,为加快薄膜铌酸锂调制器的产业化进程还需持续优化铌酸锂薄膜的图形化技术。目前华慧芯科技已开发出一类新型铌酸锂薄膜图形化技术,即电子束光刻(EBL)+干法刻蚀的路线,该路线可大幅提升对薄膜铌酸锂形貌、刻蚀速率的可控性。
 
  新思界行业分析人士表示,在核心技术工艺逐步优化升级背景下,我国已具备薄膜铌酸锂调制器全产业链把控能力,可实现从薄膜衬底、芯片设计、器件设计到封装的国产化。国内布局薄膜铌酸锂调制器市场的企业主要有江苏铌奥光电科技、珠海光库科技、宁波元芯光电子、四川新易盛通信、武汉联特科技、天津领芯科技等。
关键字: 薄膜铌酸锂 LNOI