场效应晶体管（FET）又称场效应管，指利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。场效应晶体管具有易于集成、输入电阻高、功耗小、没有二次击穿现象、噪声小等优势，在组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域应用广泛。场效应晶体管通常可分为金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）两类。
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）为场效应晶体管代表产品，指栅极被绝缘层隔离的场效应晶体管。MOSFET具有易于驱动、开关速度快、热稳定性好、输入阻抗高等优势，在数字电路和模拟电路中应用较多。按照通道极性不同，MOSFET可分为P沟道型（PMOS）和N沟道型（NMOS）两类。我国为全球最大MOSFET消费国，2022年我国MOSFET市场规模突破50亿美元，占据全球近四成。
根据新思界产业研究中心发布的《
2023-2028年场效应晶体管（FET）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，场效应晶体管主要应用于组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域。放大器领域为场效应晶体管最大需求端，场效应晶体管放大器具有输出阻抗低、输入阻抗高等特点，可应用于医学设备、微流控设备、电力系统、通信系统等。伴随市场需求增长，场效应晶体管行业发展空间将进一步扩大。
我国场效应晶体管生产企业众多，市场竞争激烈，主要包括燕东微、东微半导、士兰微、新洁能、扬杰科技、国光电气、华大九天、民德电子、广微集成等。广微集成专注于分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET）、MOS场效应二极管（MFER）等产品的研发、生产及销售，目前已成为我国功率半导体产业代表企业。
近年来，伴随国家政策支持，我国场效应晶体管研发热情持续高涨。2023年3月，北京大学彭海琳研究团队自主研制出全球首例外延高κ栅介质集成型高性能二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET），该产品未来有望在芯片技术中获得广泛应用。
新思界
行业分析人士表示，作为功率半导体器件，场效应晶体管在众多领域拥有广阔应用前景。未来伴随研究持续深入，我国场效应晶体管可应用范围将得到进一步扩展。受益于下游需求日益旺盛，我国场效应晶体管市场规模不断扩大。MOSFET为场效应晶体管代表产品，随着其市场占比不断提升，我国场效应晶体管行业发展速度加快。
