氮化镓，分子式GaN，是极稳定的氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中化合物，又是坚硬的高熔点材料，氮化镓与碳化硅同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，与前两代的硅材料和砷化镓相比，信息负载能力更强、禁带宽度更大、导热率更高，氮化镓器件较高温度的条件下依然可以正常工作，在可承载的能量密度和信息密度方面有着前两代无可比拟的优势。此外，较大禁带宽度和绝缘破坏电场可减少器件导通电，从而提升器件整体的能效。而较快的电子饱和速度和极高的电子迁移速率，可让半导体器件高速、高效运行，从而提高器件的工作效能。
更小的尺寸及功耗、更强大的性能、更大带宽、更高放大器增益是半导体行业发展的主要趋势，而氮化镓刚好满足了半导体的这些发展需求，因而成为半导体行业未来发展的重要材料之一。
目前，抑制氮化镓行业进步的关键因素是成本，因而主流的氮化镓技术厂商都在研发以硅为衬底的氮化镓的器件，以替代昂贵的碳化硅衬底，随着技术的成熟和生产效率的提升，以硅为衬底的氮化镓的器件制造成本正不断下降，预计很快将与传统硅期间比肩，届时，将可能引发半导体材料的新一轮结构性变革。
根据
新思界发布的《
2019-2024年中国氮化镓行业市场深度调研及发展前景预测报告》，随着中国三大电信运营商开启5G通信网络建设，全球范围内最大规模的5G商用化进程正式拉开帷幕，低延时、高速率的5G通信网络一旦建成并大规模普及，基于新一代通信技术的自动驾驶、物联网、人工智能等技术及应用领域将可能迎来爆发性增长，而高性能的芯片将成为各技术领域的刚需，氮化镓领域将借助这些技术及应用的领域的大爆发实现产业的跨越式发展，氮化镓市场规模将从现在的5.9亿美元膨胀至15亿美元。另外，氮化镓在军事领域也有着巨大的发展潜力，雷神公司宣布在导弹中使用氮化镓计算芯片，以提高导弹的可靠性和寿命，增强导弹的稳定性。
氮化镓作为新一代半导体新技术，也是全球各国争相角逐的市场。目前，国际市场上已经出现了多家氮化镓企业，其中英诺赛科、纳微、EPC等企业处于全球氮化镓领先行列。其中英诺赛科在氮化镓领域的进步尤其突出，英诺赛科采用8英寸增强型硅氮化镓外延技术，开创了全球氮化镓规模化量产的先河，也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表。
国内氮化镓行业虽然起步较晚，但在半导体产业高速发展的带动下，国内氮化镓行业发展很快，已经涌现出一批掌握相关技术的企业，如苏州纳维科技有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司等。
