铜铟硒，英文简称CIS，分子式为CuHInSe2，是一种三元化合物，是主要的铜铟化合物之一，是高性能I-III-VI族半导体材料，具有物理化学性质稳定、光吸收系数高、光电转化效率高等优点，可用作溅射靶材、红外发光材料等，广泛应用在场效应晶体管、薄膜太阳能电池等制造领域。
场效应晶体管（FET），是一种电压控制型半导体器件，利用电场效应来控制电流，具有输入电阻高、无二次击穿、功耗低等优点。传统场效应晶体管以多晶硅或者单晶硅为材料，无法应用在柔性器件上。铜铟硒可溅射得到薄膜材料，制造薄膜场效应晶体管，这种场效应晶体管性能得到提升，并具有可挠性好的优点，下游应用范围更为广泛。
MOS管是场效应晶体管的重要产品类型，2015年以来其市场需求不断增长。2021年，全球MOS管市场规模达到428.5亿元，其中，中国MOS管市场份额占比达到46%。由此可以看出，我国以及全球场效应晶体管市场发展态势良好。在智能可穿戴设备以及其他柔性电子产品技术不断进步、生产规模不断扩大的情况下，薄膜场效应晶体管发展潜力更大，利好铜铟硒行业发展。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国铜铟硒（CIS）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，薄膜太阳能电池，是以高性能半导体材料溅射得到的薄膜为光吸收层，具有光电转换效率高、可挠性好的优点，成为太阳能电池的重要发展方向。铜铟硒是薄膜太阳能电池光吸收层材料之一，可在衬底上溅射微米至纳米厚度的薄膜。除光电转换效率高、可挠性好的优点外，铜铟硒薄膜太阳能电池还具有制造成本低、抗辐射能力强等特点，在光伏建筑一体化（BIPV）市场中发展潜力大。
2021年，全球薄膜太阳能电池产量达到8.3GW，继续保持增长态势。为提高太阳能电池光电转换效率，满足分布式光伏以及光伏建筑一体化市场需求，我国薄膜太阳能电池行业于2009年起进入快速发展阶段，产量持续增长。但目前晶硅太阳能电池仍占据主导地位，薄膜太阳能电池在全球市场中渗透率在4%左右，在中国市场中渗透率在5%左右。这在一定程度上限制了铜铟硒行业发展。
新思界
行业分析人士表示，从光吸收效率高的高性能半导体材料市场来看，碲化镉占据主导地位，是制造薄膜太阳能电池的主要材料；从铜铟化合物市场来看，铜铟镓硒受关注度更高，技术与应用研究成果更多。但铜铟硒光电转换效率在各种薄膜材料中处于领先地位，因此依然吸引了较多科研机构与企业进入布局。在全球范围内，铜铟硒相关厂商主要有美国元素、ALB Materials Inc、QS Advanced Materials等。
