SiC MOSFET，又称碳化硅MOSFET、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，指基于碳化硅半导体材料制造的功率开关器件。与传统硅基功率器件相比，SiC MOSFET具备导通电阻低、耐高压、耐高温、开关速度快等优势，在新能源汽车、光伏发电、数据中心等领域有所应用。
按照器件架构不同，SiC MOSFET可分为平面型SiC MOSFET和沟槽型SiC MOSFET两种类型。平面型SiC MOSFET的栅电极放置在SiC晶圆表面，具备制造工艺简单、运行成本低等优势；沟槽型SiC MOSFET的栅电极垂直嵌入SiC衬底中，具备比导通电阻低、单元密度高等优势，可细分为双沟槽型SiC MOSFET以及非对称沟槽型SiC MOSFET。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2030年SiC MOSFET（碳化硅MOSFET）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，SiC MOSFET应用领域涵盖新能源汽车、光伏发电以及数据中心等。在新能源汽车领域，SiC MOSFET可用于新能源汽车主驱逆变器、车载充电器（OBC）、DC/DC转换器、电动压缩机以及直流充电桩电源模块；在光伏发电领域，其可用于光伏逆变器和储能系统中；在数据中心领域，其可用于AI服务器电源、数据中心电源中。
新能源汽车领域为SiC MOSFET主要需求端。近年来，伴随国家政策支持以及技术进步，我国新能源汽车行业发展速度不断加快。据中国汽车工业协会统计数据显示，2025年我国新能源汽车产量达到1662.6万辆，销量达到1649万辆。未来随着下游行业发展速度加快，SiC MOSFET应用需求将进一步增长。
全球SiC MOSFET市场主要参与者包括意法半导体（ST）、英飞凌（Infineon）、Wolfspeed、安森美（Onsemi）以及罗姆半导体（ROHM）等。英飞凌推出的CoolSiC™MOSFET采用非对称沟槽结构，覆盖400V至1700V电压平台，兼具开关速度与长期可靠性。
在本土方面，三安光电、瞻芯电子、泰科天润、士兰微等为我国SiC MOSFET代表企业。三安光电专注于化合物半导体的研发、生产及销售，其推出的SiC MOSFET产品已实现650V至2000V全电压规格覆盖，台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源供应商为其主要客户。
新思界
行业分析人士表示，SiC MOSFET凭借优良特性，已在众多领域获得应用。未来随着我国新能源汽车、光伏发电以及数据中心行业发展速度加快，SiC MOSFET市场空间将得到进一步扩展。目前，我国已有多家企业布局SiC MOSFET行业研发及生产赛道，三安光电占据市场较大份额。
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