氮化铝镓（AlGaN）是一种超宽禁带半导体材料，由铝、镓、氮构成。氮化铝镓具有氮化铝AlN、氮化镓GaN双重优势，如化学稳定性好、熔点极高、导热系数高、质地坚硬、发光效率高等。基于此，氮化铝镓在半导体、照明、电子器件、光通信、医疗、航天航空等领域展现出了广阔应用前景。
氮化铝镓可用于制备能在高温高压环境中工作的器件，目前基于氮化铝镓材料的紫外发光二极管、紫外激光二极管已在医疗卫生、工业等领域得到广泛应用。氮化铝镓也可用于制备高频率、高功率的器件，如光调制器、光放大器等。其中蓝光激光器是新一代激光器，在高反金属材料加工领域具有明显优势。
根据新思界产业研究中心发布的《
2023-2027年中国氮化铝镓（AlGaN）行业市场供需现状及发展趋势预测报告》显示，氮化铝镓光学性能优良，是目前研究热情较高的超宽禁带半导体材料之一，全球相关研究机构或院校有日本东北大学、中科院宁波材料所、沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）等。随着研究深入，氮化铝镓在技术储备、性能提升等方面实现了一定积累，为其应用扩展提供了有力支撑。
在制备技术方面，氮化铝镓制备技术有金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、三维生长法、脉冲溅射沉积法（PSD）、分子束外延法（MBE）等。由于氮化铝镓外延生长与氮化镓、氮化铝外延生长技术相通，MOCVD成为氮化铝镓及其器件重要生长方法。
氮化铝镓是氮化镓、氮化铝的合金材料。氮化镓、氮化铝同属于第三代半导体材料，我国第三代半导体材料市场起步较晚，但在政策扶持、技术突破助力下，第三代半导体材料行业发展迅速，其中氮化镓上市企业有华润微、三安光电、闻泰科技等；氮化铝相关企业有华清电子、宁夏秦氏、钜瓷科技等。另一方面，我国镓、铝资源丰富，是全球最大的镓、铝生产国和消费国。
新思界
行业分析人士表示，作为超宽禁带半导体材料之一，氮化铝镓可用于制备高频、高功率器件，在光通信、航天航空、医疗、照明等领域应用前景广阔。目前氮化铝镓在性能提升、技术储备等方面实现了一定积累，但在器件应用、产业发展等方面仍存在较大开发空间。
