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氧化铟镓锌(IGZO)可用于制备TFT、驱动芯片 市场需求正日益增长

2023-11-14 17:35      责任编辑:王昭    来源:www.newsijie.com    点击:
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氧化铟镓锌(IGZO)可用于制备TFT、驱动芯片 市场需求正日益增长

  氧化铟镓锌(IGZO)又称为铟镓锌氧化物,是一种第四代氧化物半导体材料,由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)组成。氧化铟镓锌禁带宽度在3.5eV左右,具有高电子迁移率、透明等特点,可用于制备新一代高性能薄膜晶体管(TFT)、显示面板、柔性屏、元宇宙显示驱动芯片等。

  氧化铟镓锌是最早被研究的金属氧化物半导体材料之一,自2000年以来,夏普、索尼、LG、三星电子、AUO、京东方等企业都在加大对氧化铟镓锌及TFT的研发力度,目前氧化铟镓锌已被夏普、Apple、三星、小米等多家企业实现产品化。我国氧化铟镓锌相关研究机构和企业有中国科学院宁波材料所、冠捷科技、京东方、隆华科技、三安光电、华英科技龙腾光电等。

  铟是氧化铟镓锌生产主要原材料之一。铟属于稀散金属,主要以化合物、合金等形式应用在平板显示、半导体、焊料等领域,高纯氧化铟主要用于生产ITO靶材、氧化铟镓锌靶材。铟分为原生铟、再生铟两大类,我国是全球最大的原生铟生产国,2022年原生铟产量超过440吨,约占全球产量的一半。

  根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年中国氧化铟镓锌(IGZO)行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示,随着技术突破,氧化铟镓锌在元宇宙、AR/VR、消费电子、汽车电子、显示面板、探测器等领域应用越来越广泛。与此同时,高性能氧化铟镓锌市场需求日益增长,我国铟资源丰富,但由于国内铟深加工能力不足,氧化铟镓锌原始材料专利、靶材供应主要被日韩企业占据主导。

  粉体品质、烧结工艺对氧化铟镓锌靶材、器件的性能具有一定影响,研究其粉体制备技术、烧结工艺有助于我国氧化铟镓锌产业高质量发展。目前氧化铟镓锌粉体制备方法有化学气相沉积法、微乳液法、固相化学反应法、沉淀法、水热法等,常见烧结工艺有微波烧结工艺、常压气氛烧结工艺、放电等离子烧结工艺、热压烧结工艺等。

  新思界行业分析人士表示,氧化铟镓锌是第四代氧化物半导体材料,可用于制备薄膜晶体管、显示面板、柔性屏、驱动芯片等,行业发展前景广阔。但伴随显示技术更新迭代,市场对氧化铟镓锌的性能、粉体质量等要求也将不断提升,相关企业仍需加大氧化铟镓锌粉体、靶材及工艺的研发和创新力度,提高产品附加值,推动行业高质量发展。

关键字: 氧化铟镓锌 TFT