碳化硅（SiC）器件是指采用第三代半导体材料SiC制造的一种宽禁带电子器件。SiC器件具有出色的高频、高功率、耐高温、耐高压、损耗低、抗辐射等特点，被广泛应用于5G通信、新能源汽车、“新基建”、国防军工、航空航天等领域，行业发展空间广阔。
根据器件工作形式不同，SiC器件可分为功率二极管和功率开关管；其中功率二极管包括JBS二极管、PiN二极管、超结二极管；功率开关管主要包括MOSFET开关管、JFET开关管、BJT开关管、IGBT晶体管、GTO晶闸管、ETO晶闸管。
近年来，随着新能源汽车、5G通信、工业电源等领域不断发展，全球SiC器件市场需求不断扩大，市场规模随之不断扩大。根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年碳化硅（SiC）器件行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，2021年全球SiC器件市场规模为9.5亿美元，同比增加30.9%。未来随着SiC器件应用领域不断扩展，预计2022年全球SiC器件市场规模将接近12亿元，行业发展前景较好。
SiC器件产业链上游为零部件供应商，主要包括导电型SiC衬底、半绝缘型SiC衬底、外延片等；中游为SiC器件制造商，主要企业包括STMicroelectronics、英飞凌、Wolfspeed、Onsemi、罗姆公司、三菱电机、华为、三安光电、欣锐科技等；下游为应用市场，主要包括5G通讯、光伏发电、新能源汽车、工业电源、特高压设备、轨道交通、航空航天等。
近年来，随着国内半导体产业以及SiC器件产业链下游应用市场不断发展，我国已成为全球SiC器件最大消费国之一，国内SiC器件需求市场庞大。在市场需求驱动下，国内SiC器件企业不断增加，主要包括三安光电、天岳科技、天科合达、同光晶体、泰科天润、国扬电子、基本半导体等。目前国内企业正积极布局SiC器件领域，已有50家以上企业宣布了与SiC器件相关新商业计划，未来随着国内企业纷纷涌入该赛道，国内SiC器件行业发展潜力巨大。
目前国内SiC器件行业仍处于发展初期，市场渗透率较低，且SiC器件属于资源约束型行业，受SiC衬底资源供给约束性较大，因此国内SiC器件市场仍由Cree、II-VI及Si-Crystal等国外SiC衬底厂商所把控。
新思界
产业分析人员表示，未来随着国内SiC器件产业链下游应用市场不断扩展，国内SiC器件市场需求将不断增加；同时国内半导体产业发展受国家政策大力支持，在此背景下，国内企业正在积极布局SiC器件领域，进一步加快国内市场国产替代进程。未来国内SiC器件行业还有较大发展空间，行业发展潜力无限。
