绝缘体上硅是一种新型的硅基集成电路材料的简称，由于具有低功耗、低开启电压、高速、能提高集成度、与现有集成电路完全兼容且能减少工艺程序、耐高温、抗辐照等优异特性，受到世界各大集成电路制造商和各国政府的高度重视，目前已被用于低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面。
SOI材料制备的方法多样，有SOS、ELO、注氧隔离技术、熔化横向生长、外延层转移技术、智能剥离技术、硅键片合减薄法等，由于SOS方法操作简单，且硅膜质量能够得到大幅上升，因此是目前主要的制备技术，但由于该项生产技术制造过程中易造成污染，且产品易破裂，因此未来或将逐渐被淘汰。
根据新思界产业研究中心发布的
《2020-2024年中国SOI材料行业市场供需现状及发展趋势预测报告》显示，绝缘体上硅材料上游原料主要有Si、SiO2衬底、基板等；中游涉及SOI材料制备、设计代工、封装测试等；产品下游主要应用包括CPU/GPU、PC处理器、航空航天、无线通讯、汽车电子等领域。近几年，我国电子电气产业快速发展，对于半导体硅片产品需求攀升，进而带动SOI材料行业快速发展。
随着SOI材料的不断发展，SOI材料产业不断成熟完善，2015至2019年间，SOI材料方面的发明专利数量逐年减少。目前全球中拥有SOI材料相关专利数量排名靠前的主要企业有IBM、格罗方德半导体、日本信越、台积电等，研究机构主要有电子科技大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院微电子研究所等单位，其中电子科技大学的SOI材料相关发明专利数量最多。
作为特殊硅基材料，全球范围内仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产，目前中国SOI硅片产销规模较小。但在全球中，目前中国和日本等国家拥有最大的半导体制造基地，将有助于SOI材料在我国市场的发展，近几年我国SOI硅片销售额也在不断增长，从2016年的0.02亿美元上升至2019年的0.15亿美元，年均复合增长率159.2%。
新思界
产业分析人士表示，由于下游产业的带动，全球半导体硅片需求持续攀升，SOI硅片行业发展速度较快。从全球市场来看，我国在SOI材料专利方面具备优势，但由于受限于技术原因，目前国内SOI材料市场规模较小。但由于我国是全球最大的半导体制造基地之一，这有利于SOI材料在我国发展，未来SOI材料在我国将保持高速增长。
