当前位置: 新思界 > 产业 > 电子电气 > 聚焦 >

新型存储市场被国外巨头垄断 武汉新芯或将打破市场格局

2018-08-17 18:35      责任编辑:霍媛    来源:www.newsijie.com    点击:
分享到:

新型存储市场被国外巨头垄断  武汉新芯或将打破市场格局

  存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。新型存储器主要是在当前时代背景下对传统存储器的革新,一般情况下革新点主要是两个方面,一是结构上由2D变为3D,二是采用新的存储器件结构或材料。
 
  根据新思界产业研究中心发布的《2018-2022年中国新型存储行业发展现状及投资机会分析报告》显示,我国存储器市场长期以来都对进口产品有较大的依赖性,新型存储技术的出现给我国存储器市场摆脱当前被动局面带来较大的契机。近几年,中国新型存储行业相关技术也不断实现突破性进展,但是目前本土企业中还没有进入大规模的产业化发展阶段,多数技术及产品还处于试验阶段。
 
  现阶段,中国存储市场中,传统存储及闪存仍占据主要的存储市场,医疗HIS系统、银行交易和期权系统等核心业务中,传统存储系统一如既往的提供着无可替代的高可靠、高性能存储服务。而新型存储的关键核心技术仍被国外少数的存储巨头企业所把控。
 
  半导体行业是国民经济发展支柱型产业,其中存储器在整个半导体产业中又占据极为重要的地位。现阶段,存储器的应用十分广泛,市场规模庞大,被国家列为战略性高技术产业。新思界产业研究员表示,在存储器市场中,DRAM和NAND Flash两种存储芯片占据着主导地位,其总体市场份额达到90%以上。从当前全球的DRAM、NAND的市场格局来看,这两类存储器被三星、海力士、东芝、美光等国际巨头垄断,中国存储芯片市场也长期被这些进口产品所主导,国内本土企业在技术比较落后,在这种寡头垄断的市场格局之下,中国企业很难冲破市场禁锢提升国产存储新品的市占率。
 
  根据新思界产业分析师调研,近几年,中国新型存储行业发展尽管取得较大的进步,但是目前国内实现量产的仍是三星在中国西安投建的工厂,国内本土企业还没有真正实现大规模量产,只有武汉新芯的48层3D NAND预计在2018年能够实现规模化量产。
 
  近几年,全球存储芯片市场掀起了一场技术革命,由传统芯片转型新型芯片,这种产品升级换代的更迭时期,现有市场格局或将面临重新洗牌,这为中国存储芯片行业的发展带来较大的机遇。现阶段,中国存储芯片市场中,武汉新芯2017年底取得48层3D NAND的验证,2018年进行量产,这样与三星之间的市场差距也就在3年左右;中芯在2014年9月宣布38nmNANDFlash记忆体工艺已就绪,虽不像武汉新芯在NANDFlash的成果和专注,此技术仍为后续开发更先进的2x/1xnm和3DNANDFlash记忆体的研发和量产奠定基础。
 
  新思界产业研究员表示,武汉新芯所取得的一系列成功为中国新型存储行业的发展奠定了坚实的基础。在这种市场转型升级的阶段,也正是我国存储芯片行业实现突破和超越的机遇。一旦武汉新芯等企业能够实现市场突破,将会改变长期以来我国存储芯片市场被国外产品所垄断的市场局面,同时也将开启我国新型存储行业发展的新篇章。预计到2022年,中国新型存储行业市场规模将会突破20亿元。
 
图表:2018-2020年中国新型存储行业市场规模预测
2018-2020年中国新型存储行业市场规模预测
数据来源:新思界产业研究中心整理
 
关键字: