激光剥离（LLO），是利用激光分解衬底材料与外延生长材料之间的缓冲层，实现外延片从衬底上分离的技术。激光剥离设备是一种重要的半导体设备，主要用于LED产业中，可以剥离载板上的PI薄膜，衬底上的氮化镓、碳化硅材料等，例如在剥离蓝宝石衬底上的氮化镓时，在保证氮化镓薄膜完整性的同时可以减少蓝宝石衬底磨损率，具有降本、提质、增效等作用。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年激光剥离设备行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在全球范围内，激光剥离设备生产商主要有美国相干Coherent、美国IPG Photonics、德国3D-Micromac、韩国QMC、韩国AP Systems、韩国Philoptics、中国大族激光等。在柔性OLED显示领域，采用柔性PI薄膜作为基板，柔性PI薄膜在玻璃载体上生长得到，需要进行剥离。在全球范围内，美国相干在柔性OLED显示用PI薄膜激光剥离设备市场中份额占比大。
Micro LED（微米发光二极管），具有分辨率高、色彩饱和度高、亮度高、反应速度快、体积小、能耗低、寿命长等优点，可大幅提升用户观看体验，是显示技术发展趋势，在全球范围内，三星、LG、夏普、索尼、京东方、三安光电等国内外企业均在大力布局，MicroLED芯片研发速度随之加快。在我国，三安光电在湖北建设了MicroLED氮化镓芯片、MicroLED砷化镓芯片研发基地。
以MicroLED氮化镓芯片为例，其氮化镓材料需要在蓝宝石衬底上外延生长得到，激光剥离氮化镓是关键环节。用于MicroLED氮化镓芯片领域的激光剥离设备需要具备极高的激光束均匀度与稳定性，其制造技术壁垒高，全球生产企业数量少。在我国，2019年，大族激光推出用于Micro LED显示领域用全自动LLO激光剥离设备，具有激光光束均匀、功率稳定、工作效率高的优点。
发展到现阶段，半导体材料已经升级至第三代，代表性材料除氮化镓外，还有碳化硅。碳化硅材料可以广泛应用在5G通信、新能源汽车、航空航天等领域，碳化硅激光剥离也成为影响第三代半导体材料发展的重要技术之一。2022年，我国中电科二所利用激光剥离技术，在自主搭建的实验测试平台上成功实现了小尺寸碳化硅单晶片激光剥离，有利于推动我国第三代半导体材料应用市场发展。
新思界
行业分析人士表示，我国半导体产业规模庞大，是全球最大的显示面板生产国，为实现“制造大国”向“制造强国”转变，我国半导体产业、显示面板产业技术不断升级，对相关设备的性能与品质要求不断提高。一直以来，我国半导体设备生产实力弱，需求对外依赖度大，在激光剥离设备领域，我国企业研发、生产能力正在不断增强，市场国产化率有望不断提升。
