β-氧化镓，又称β-Ga2O3，指具有单斜晶系结构的宽禁带氧化物半导体。β-氧化镓具备结构稳定性佳、紫外光透过率高、击穿场强等优势，在光电探测、电子器件等领域应用广泛。
β-氧化镓制备方法包括提拉法、垂直布里奇曼法、浮区法、导模法以及铸造法等。垂直布里奇曼法指利用坩埚使原材料熔融，再经过结晶、拉长等流程制得成品，该法极易造成环境污染；导模法可用于制备大尺寸β-氧化镓单晶，具备运行成本低、操作流程简单、晶体生长速率快等优势；提拉法，又称柴可拉斯基法，为β-氧化镓主流制备方法，具备技术成熟度高、成品质量好等优势。
β-氧化镓作为一种宽禁带半导体材料，在光电探测以及电子器件等领域应用广泛。在光电探测领域，β-氧化镓的吸收波长约达250nm，可用于制备日盲紫外光电探测器；在电子器件领域，其具备击穿场强、禁带宽度大等优势，可用于制造金属半导体场效应晶体管、肖特基势垒二极管等电子器件。
近年来，随着技术进步以及下游行业发展速度加快，β-氧化镓市场空间不断扩展。根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2030年中国β-氧化镓（β-Ga2O3）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，2024年全球β-氧化镓市场规模达到近1.5亿美元，同比增长超过10%。目前，氮化镓（GaN）具备技术成熟度高、适用范围广等优势，为宽禁带半导体材料市场主流产品。预计未来一段时间，随着运行成本降低，β-氧化镓作为新一代宽禁带半导体材料，市场规模还将进一步增长，到2030年将超过氮化镓。
全球β-氧化镓市场主要参与者包括日本FOX公司、日本NCT公司、日本FLOSFIA公司、美国Kyma Technologies公司等。日本FOX公司是一家初创企业，已掌握低成本制备β-氧化镓晶片技术，产品具备缺陷率低、能量损耗低等优势。
在本土方面，进化半导体、中科瑞晶、雷电微力、富加镓业、昌龙智芯等为我国β-氧化镓市场主要参与者。进化半导体具备大尺寸β-氧化镓单晶规模化生产实力，已建成我国首条第四代半导体氧化镓功率器件芯片实验线。
新思界
行业分析人士表示，β-氧化镓作为新一代宽禁带半导体材料，应用前景广阔，行业发展速度不断加快。目前，我国已有多家企业布局β-氧化镓行业研发及生产赛道。未来伴随技术成熟度提升，我国β-氧化镓运行成本有望降低，届时其市场空间将得到进一步扩展。
关键字：
