HBM4（High Bandwidth Memory 4）是下一代高带宽内存技术，专为满足下一代人工智能（AI）和高效能运算（HPC）对内存带宽的苛刻需求而设计。高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）是AMD公司和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，如图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。
高带宽存储器（HBM）是一种新型的高性能动态随机存取存储器，产品经历了第一代HBM1、第二代HBM2、第三代HBM2E、第四代HBM3以及下一代HBM4。第一代HBM相比第五代GDDR，占用面积上少94%，效率更是其三倍；第二代HBM的性能则更高，每个堆栈最高可以为8层，堆栈的容量达到8GB，带宽更是翻番为256GB/s；HBM3标准提出了多项增强功能，包括支持更大的密度、更高速运算、更高的Bank数、更高的可靠性、可用性、可维护性（RAS）、低功耗接口和新的时钟架构；HBM4相较于前一代带宽翻倍、能效显著提升、容量提升。
chatGPT的爆火和AI产业的高速发展，推动了AI芯片需求的暴增，也推动了适用于高存储器带宽需求应用场合的HBM市场的发展。随着GPU的功能越来越强大，需要更快地从内存中访问数据，以缩短应用处理时间，因此提升内存带宽一直是存储芯片关注的重点方向。HBM在此背景下，市场快速发展，正处于严重供不应求的状态，市场规模持续高速增长。HBM4产品主要应用于下一代AI加速器，包括英伟达的“Vera Rubin”和“Rubin Ultra”架构、AMD的MI400系列等均已规划采用HBM4。
新思界产业研究中心整理发布的
《2026-2030年全球及中国高带宽存储器HBM4行业研究及十五五规划分析报告》显示，HBM市场由SK海力士、三星和美光三大原厂主导，目前三大厂商均已发布HBM4量产计划。HBM4产品预计将在2026年逐渐进入量产，三星将在2026年2月开始大规模量产HBM4芯片，SK海力士也会在大致相同的时间开始量产，美光计划2026年第二季度量产HBM4，良率爬坡速度快于HBM3E。三星HBM4采用Turnkey方案，大部分都将供应给英伟达的下一代AI加速器系统“Vera Rubin”，部分还将供应给谷歌。SK海力士在HBM4的基底Die上采用12nm制程工艺，让带宽相比上代型号提升2倍，能效比提升40%以上。美光HBM4初期会在1-beta平台，后续将转移至1-gamma工艺。国内厂家在HBM领域主要处于追赶阶段，部分企业如长鑫存储、武汉新芯和通富微电子等具有HBM2供应能力，HBM3也已经实现突破。
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