根据曝光波长不同，光刻胶可分为G线光刻胶（436nm）、I线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）和EUV光刻胶五大类。I线光刻胶，指以365nm波长光作为曝光光源的光刻胶。根据分辨率和应用范围不同，I线光刻胶分为普通I线光刻胶（分辨率为0.5um）、高分辨I线光刻胶（0.35um）和厚膜光刻胶三大类。
I线光刻胶是芯片制造过程中的关键材料，其行业发展受到国家政策大力支持。例如，2023年《产业结构调整指导目录（2024年本）》《工业战略性新兴产业分类目录（2023）》、2024年《关于做好2024年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》等。政策大力支持为我国I线光刻胶行业提供良好发展环境。
根据新思界产业研究中心发布的
《2025-2029年全球及中国I线光刻胶行业研究及十五五规划分析报告》显示，I线光刻胶适用于0.5-0.35μm、0.25μm工艺线宽的光刻需求，在半导体封装、显示面板、AI芯片等场景中广泛应用。根据美国半导体行业协会数据显示，2016-2024年，我国半导体产业销售额呈稳步上升趋势，其中2022-2024年持续超过1800亿美元（2023年因行业低迷除外），是全球最大的半导体市场。半导体产业规模扩大，将带动国内I线光刻胶行业需求不断增长。
国外I线光刻胶市场生产企业多集中在美国、日本等地区，包括东京应化工业株式会社、JSR株式会社、信越化学工业株式会社、富士胶片株式会社等，上述企业具有技术优势，长期在全球市场上占据主导地位。国内I线光刻胶生产企业包括北京科华微电子材料有限公司、徐州博康信息化学品有限公司、晶瑞电子材料股份有限公司等。
随着行业研究深入，我国相关I线光刻胶专利数量持续增长，例如，2024年徐州博康信息化学品有限公司的“一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法”、2025年上海新阳半导体材料股份有限公司、上海芯刻微材料技术有限责任公司的“一种i线光刻胶及其制备方法和应用”等。
新思界
行业分析人士表示，I线光刻胶对焦深和曝光宽容度更优、抗湿法刻蚀性能良好，在半导体封装、显示面板、AI芯片等场景中应用广泛。相较于美国、日本等发达国家，我国I线光刻胶产业起步晚，但在国家政策扶持、企业和相关机构加大研究利好下，近年来我国I线光刻胶国产化率有所增长，目前约为11%。
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