P型碳化硅衬底，指在碳化硅基底材料中掺杂铝（Al）等元素形成的导电型半导体衬底。P型碳化硅衬底具备高击穿场强、宽禁带、热导率高、缺陷密度低等特点，在通信基站、汽车制造、光伏发电、轨道交通、AI数据中心等众多领域拥有潜在应用价值。
碳化硅衬底种类丰富。按照电学性能不同，碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底以及导电型碳化硅衬底；按照掺杂元素不同，可分为P型碳化硅衬底以及N型碳化硅衬底。在应用需求拉动下，全球碳化硅衬底市场规模不断增长，2024年达到近15亿美元。未来伴随碳化硅衬底行业发展速度加快，P型碳化硅衬底作为其细分产品，将迎来广阔市场前景。
传统碳化硅衬底采用物理气相传输法（PVT）制得，该法存在纯度控制难度大、易产生副产物等问题，无法满足P型碳化硅衬底制备需求。化学气相沉积法（CVD）以及液相法具备成品纯度高、绿色环保等优势，在P型碳化硅衬底制备过程中应用较多。未来随着技术成熟度提升，我国P型碳化硅衬底市场空间将得到进一步扩展。
根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2030年中国P型碳化硅衬底行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，P型碳化硅衬底在众多领域拥有潜在应用价值，主要包括通信基站、汽车制造、光伏发电、轨道交通、AI数据中心等。在通信基站中，P型碳化硅衬底可用于制造功率放大器以及射频器件；在汽车制造领域，其可用于汽车电力电子系统中；在光伏发电领域，其可用于制造光伏逆变器；在轨道交通领域，其可用于地铁和高铁的电机驱动系统中。
我国已布局P型碳化硅衬底行业研发及生产赛道的企业包括眉山博雅新材料股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等。天岳先进专注于碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，已采用液相法成功制备出P型碳化硅衬底。据天岳先进企业年报显示，2024年公司碳化硅半导体材料实现营收14.7亿元。
新思界
行业分析人士表示，P型碳化硅衬底作为碳化硅衬底细分产品，在众多领域拥有巨大应用潜力。未来随着技术成熟度提升以及市场需求逐渐释放，我国P型碳化硅衬底行业发展速度有望加快。在市场竞争方面，我国已有多家企业具备P型碳化硅衬底自主研发及生产实力，天岳先进占据市场较大份额。
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