半导体激光器是以半导体材料作为工作物质从而产生激光发射的一种激光器。氮化镓（GaN）基半导体激光器是基于第三代半导体氮化镓基材料体系的半导体激光器。氮化镓基材料涵盖氮化铟（InN）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）及其合金，光谱覆盖了从近红外、可见光到深紫外全波段。
氮化镓基半导体激光器分为氮化镓基蓝光激光器、氮化镓基绿光激光器、氮化镓基紫光激光器等。氮化镓基半导体激光器具有寿命长、体积小、效率高、光谱范围广、热调制频率高等优点，在光存储、激光通信、照明、激光显示、军事、医疗、金属加工、激光雷达、航天航空等领域应用前景广阔。
氮化镓基半导体激光器制备难度大，过程涉及结构设计、外延生长、封装测试、工艺流片等多个步骤。外延生长是氮化镓基半导体激光器制备的基础，决定着其性能上限，外延生长方法主要分为金属有机物化学气相外延（MOCVD）、分子束外延（MBE）两种，其中MOCVD是氮化镓基半导体激光器首选的外延方法。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2028年中国氮化镓（GaN）基半导体激光器市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示，氮化镓基半导体激光器是新型半导体激光器，其器件研究和应用备受关注。预计2024-2028年，全球氮化镓基半导体激光器件市场规模将不断扩大，年均复合增长率将达到20.0%左右。在国际市场上，氮化镓基半导体激光器企业包括日本日亚、德国欧司朗、美国NUBURU、日本岛津、日本索尼等，其中日本日亚技术处于全球领先水平。
氮化镓基激光芯片是氮化镓基半导体激光器的核心，其技术壁垒极高，全球市场由国外企业垄断，我国氮化镓基激光芯片相关企业有广西飓芯科技、安徽格恩半导体、苏州镓锐芯光科技等。目前我国具备氮化镓基激光芯片量产能力的企业较少，但随着核心技术突破，我国氮化镓基激光芯片自主供给率将不断提升，预计2028年将达到70%以上。
新思界
行业分析人士表示，作为新型半导体激光器，目前我国氮化镓基半导体激光器市场仍处于起步阶段，相关研发单位包括中国科学院苏州纳米所、中国科学院半导体研究所、厦门大学等。氮化镓基半导体激光器应用前景广阔，随着国内技术突破、核心部件供应能力提升，我国氮化镓基半导体激光器市场将不断向好发展。
