氮化镓激光芯片是氮化镓激光器核心零部件之一，技术壁垒极高。氮化镓是第三代半导体材料，在5G时代下，凭借宽带隙、高频、大功率、高电子迁移率、高热稳定性等优势，氮化镓市场关注度居高不下。近年来，随着研究不断深入、科技技术进步，氮化镓相关器件不断发展，带动氮化镓激光芯片市场需求释放。
基于第三代半导体氮化镓材料开发的激光器是一种新型光电子器件，相比于传统半导体激光器，氮化镓激光器具有光谱范围广、体积小、寿命长、效率高、波长范围广等优势，在激光显示、激光照明、激光通讯、金属加工、国防、航天航空、量子通信等领域具有广阔应用前景。
全球氮化镓芯片市场集中度高，头部制造商有PI、纳微、英诺赛科、宜普、Transphorm、英飞凌等。作为新型激光器，氮化镓激光器制造难度大、技术壁垒高，尤其是氮化镓激光芯片，全球仅有极少数企业掌握该芯片的生产制造技术，我国企业需求严重依赖进口。
根据新思界产业研究中心发布的《
2023-2027年氮化镓激光芯片行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，我国氮化镓激光芯片相关企业有安徽格恩半导体、广西飓芯科技、苏州镓锐芯光科技等。目前我国具备氮化镓激光芯片量产能力的企业较少，但在国际矛盾加剧背景下，为增强自身话语权，芯片国产化生产将是必经之路，未来国产氮化镓激光芯片市场发展空间广阔。
广西飓芯科技于2023年3月建成国内首条氮化镓激光芯片量产线，产线拥有全球领先的半导体量产设备100余台，涵盖衬底、外延、工艺与封测等各生产环节。安徽格恩半导体具备氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试等技术能力及量产制造能力，2023年8月26日，在安徽格恩半导体发布了包括蓝光、绿光及紫光等系列的十多款氮化镓激光芯片产品，产品关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平。
新思界
行业分析人士表示，作为氮化镓激光器核心部件，氮化镓激光芯片技术壁垒极高，全球市场由国外企业垄断。近年来，在国内企业积极探索下，国产氮化镓激光芯片实现突破，市场垄断格局被打破。未来随着相关产线建成投产，我国氮化镓激光芯片自主供应能力将进一步增强，预计2027年国产氮化镓激光芯片供给率将达到70%以上。
