量子点红外探测器，英文简称QDIP，是一种制冷型红外探测器，其研究起步较晚，20世纪90年代后期才首次被论证。量子点是半导体纳米结构，激子在三个空间方向上被束缚，量子点红外探测器是以量子点的三维量子限制效应为工作原理。量子点红外探测器的原理与结构均与量子阱（QWIP）红外探测器类似，只是采用量子点材料取代了量子阱材料。
红外探测器主要分为制冷型红外探测器、非制冷型红外探测器两大类。其中，制冷型红外探测器需要工作在低温条件下，体积较大，价格较高，主要应用在军事与科研领域。按照敏感材料的不同来划分，制冷型红外探测器可以分为锑化铟探测器、碲镉汞探测器、二类超晶格探测器、量子阱探测器、量子点探测器等。与其他类型的制冷型红外探测器相比，量子点红外探测器应用规模小。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国量子点红外探测器（QDIP）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，20世纪90年代，均匀度高、无缺陷的量子点材料已经成功制备得到，为量子点红外探测器行业发展奠定了基础。与原理与结构相似的量子阱红外探测器相比，量子点红外探测器同样具有暗电流低、工作温度高、响应速度快、探测效率高等优点，并且还具有响应垂直入射光、有效载流子寿命更长的特点，因此成为研究热点。21世纪以来，全球量子点红外探测器研究成果不断增多。
新思界
行业分析人士表示，单层量子点的密度低，对入射光的吸收效率有限，并且量子点在外延生长过程中的应力积累，以及量子点尺寸、材料成分、掺杂均匀度等，均会对量子点层的光吸收效率造成影响。在实际应用中，量子点材料的性能与预期相比有较大差距，导致量子点红外探测器的量子效率低于预期理论值，产品也存在量子效率较低的缺点。研究起步晚叠加产品存在缺陷，因此量子点红外探测器应用规模小。
为改善量子点红外探测器性能，现阶段量子点材料结构还在不断改进。早期，红外探测器量子点材料主要采用InAs(InGaAs)/GaAs结构，其制备简单，但难以提高红外探测器的探测率，之后引入AlGaAs对InAs(InGaAs)/GaAs结构进行改进，但暗电流与光电流两者之间难以平衡，后来又引入InGaAs应力缓解层结构以及出现DWELL结构、InAs/InGaP结构等。目前量子点红外探测器技术与应用研究尚不成熟，未来还有较大成长空间。
