忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻，可以实现非易失性随机存储，以及实现人工神经网络突触，在数据存储与人工智能方面具有巨大应用潜力。忆阻材料是制造忆阻器的关键，目前已研究问世的忆阻材料主要有金属氧化物、过渡金属硫化物、有机材料、钙钛矿材料等几大类。
具有忆阻行为的金属氧化物种类较多，以过渡金属氧化物为主，例如氧化锌（ZnO）、二氧化硅（SiO2）、二氧化钛（TiO2）、五氧化二钽（Ta2O5）等，一般与传统CMOS工艺兼容。过渡金属硫化物类忆阻材料主要有二硫化钼（MoS2）、硫化银（Ag2S）等，不同材料成分可改变其阻变行为。有机材料类忆阻材料主要有聚苯胺、聚苯乙烯等，通常具有高柔性特点。钙钛矿材料（CaTiO3）类忆阻材料具有非易失、高速、低功耗等特点，但与传统CMOS工艺不兼容。
忆阻器具有体积小、读写速度快、兼容性好、使用寿命长等优点，有望为数据存储与人工智能技术带来变革，为满足不同应用领域需求，忆阻材料需要具备耐高温、耐高压、电阻比高、均匀性好等特点。根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年忆阻材料行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，现阶段，全球忆阻材料仍处于研发阶段，新型产品不断问世，但批量制备工艺尚不成熟，尚未实现产业化发展，因此综合性能优良且适于工业化生产的忆阻材料开发需求迫切。
2016年，美国内布拉斯加大学林肯分校研究团队发现一种用低温溶液法制备的新型钙钛矿材料，可以用来制备性能很好的忆阻器，能够将人工仿突触器件的一次信号传输所需能耗降低到与生物突触中一次信号传输所需能耗相近。
2018年，南京大学物理学院团队利用二维层状硫氧化钼（氧化二硫化钼）以及石墨烯构成三明治结构的范德华异质结，首次实现了基于全二维材料的、可耐受超高温和强应力的高鲁棒性（robust）阻器。
新思界
行业分析人士表示，全球多个国家的高校、研究机构、企业均在加大忆阻材料研发力度，除已提到的高校外，还有德国基尔大学、华东理工大学等高校，Jülich Aachen研究联盟、Peter Grünberg研究所等研究机构，德国Heraeus、美国惠普、美国IBM、美国英特尔、日本NEC、韩国三星等企业。随着科技不断进步、研究步伐不断加快，未来忆阻材料有望逐步实现产业化发展。
