碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，在功率半导体领域具有广阔市场空间。功率半导体在电子电气产业中不可或缺，其直接影响电子电气设备的性能与成本。与传统的Si MOSFET相比，相同功率等级的SiC MOSFET在工作频率、高温特性、稳定性等方面得到提高，能耗得到降低，是一种新型MOSFET产品。
一直以来，硅（Si）功率半导体例如IGBT、IPM等应用广泛，但是Si材料物理特性有限，随着电子电气产品性能不断提高以及新型产品不断问世，市场对功率半导体的耐高温高压、高功率密度等要求不断提升，Si功率半导体在较多应用领域已经无法满足需求。SiC是第三代半导体材料，具有高热导率、高禁带宽度等优良特性，因此SiC MOSFET受到关注。
根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年SiC MOSFET行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，SiC MOSFET具有导通电阻低、阻断电压高、工作频率高、开关速度快、开关损耗低、高温稳定性好等优点，适用于高压高频场景中，可以取代IGBT，广泛应用在新能源汽车、光伏发电、不间断电源、5G基站等领域。2019年，全球SiC MOSFET市场规模约为2.6亿美元，预计到2025年将增长至10亿美元以上，年均复合增长率为25.2%，呈现迅速上升态势。
全球SiC MOSFET生产商主要有英飞凌、意法半导体、安森美、科锐、GeneSiC、罗姆等，我国SiC MOSFET生产商主要有深圳基本半导体有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等。除国内企业外，英飞凌、安森美、意法半导体等国外企业纷纷进入国内建厂，因此中国是全球最大的SiC MOSFET生产国。
由于价格较高，应用范围受到限制，现阶段全球SiC MOSFET市场规模偏小。但SiC MOSFET性能明显优于传统功率半导体，尽管其应用受限，目前全球市场依然迅速增长，未来随着技术不断进步、成本不断下降，SiC MOSFET需求将快速拓展开来。因此短期来看SiC MOSFET销售规模小，但长期来看SiC MOSFET具有广阔发展前景。
新思界
行业分析人士表示，SiC是第三代半导体材料，性能与传统Si材料相比优势明显，SiC MOSFET是新型功率半导体，与传统Si MOSFET相比性能得到大幅提升，可以替代IGBT使用，在高压高频场景中拥有广阔发展前景。现阶段，我国拥有具备SiC MOSFET生产能力的企业，国外企业也纷纷进入国内市场布局，未来竞争压力将日益增大，不具备核心竞争力的企业未来发展空间较小。
