衬底是半导体单晶材料制造而成的晶圆片，碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场强度高、极限工作温度高、热导率优、抗辐射性能优等特点，碳化硅衬底即以碳化硅晶体制造而成的晶圆片，具有体积更小、功耗更低、高压高频等优点，主要包括导电型、半绝缘型两大类产品，被广泛应用在5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电、航空航天、国防军工等领域。
碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件、应用等，碳化硅衬底位于碳化硅产业链上游，制备流程主要包括原料合成、晶体生长、切割、抛光、清洗等环节。根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年碳化硅衬底行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，2019年，全球碳化硅衬底材料市场规模约为1.8亿美元。由于下游行业对功率器件、射频器件的性能要求不断提高，第三代半导体材料正在逐步取代前两代产品，需求增长极为迅速，预计到2025年，全球碳化硅衬底材料市场规模将达到15.9亿美元左右。
按照直径来划分，碳化硅衬底主要包括2英寸、4英寸、6英寸、8英寸等规格，目前全球市场中，4英寸、6英寸碳化硅衬底是主流产品。碳化硅衬底直径尺寸越大，单片产品可生产的芯片数量越多，材料利用率越高，芯片生产成本越低。因此下游厂商对碳化硅衬底的尺寸要求不断提高，目前6英寸碳化硅衬底需求比例不断上升，国际领先生产商已经研发出8英寸产品。
在全球范围内，美国科锐（Cree）是领先碳化硅衬底生产商，已研发出8英寸产品，2020年，其出货量在全球总出货量中的占比达到50%左右，产品主要供货给国际领先半导体、微电子公司。除美国科锐（Cree），海外碳化硅生产商还有日本罗姆（ROHM）、美国贰陆（II-VI）等。与硅衬底相比，碳化硅衬底制造难度大幅提高，全球量产企业数量较少，随着需求迅猛增长，全球碳化硅衬底市场呈现供不应求发展态势。
进入21世纪，我国电子信息产业快速发展，现阶段是全球最大的半导体市场，对衬底的需求量大，推动我国碳化硅衬底行业规模不断扩大，技术水平不断提高。新思界
行业分析人士表示，我国碳化硅生产商主要有露笑科技、天科合达、山东天岳、中电二所、三安光电、中科钢研、科友半导体等。目前，我国已经实现6英寸碳化硅衬底产业化生产，正在加快研发8英寸产品，与国外先进企业之间的技术差距不断缩小。
