铌酸锂是一种光电子材料，集非线性光学、光折变、电光、声光、压电、热电等特性于一体，是声光材料中性能最为突出、最引人注目的材料之一，在推动光子学革命方面具有重要意义。铌酸锂可用来制备光波导、光开关、压电调制器、电光调制器、二次谐波发生器、激光倍频器等多种产品，应用在光通信产业中。其中，调制器是铌酸锂的重要应用市场。
采用薄膜铌酸锂制成高速调制器芯片，可大幅提升调制器数据传输速度，减小其体积，并具有光损耗低、能耗低的优点。在5G、云计算、人工智能、物联网、高清视频、虚拟现实等产业快速发展的推动下，光通信的传输数据量、传输速度、传输距离等要求不断提高，对高传输速度、低光损耗、低能耗的新型调制器芯片需求迫切，因此薄膜铌酸锂芯片迎来发展机遇。
我国铌酸锂产业链布局日益完善，具备薄膜铌酸锂批量生产能力，但由于薄膜铌酸锂芯片及调制器技术壁垒高，我国生产实力弱，需求基本依靠进口。在全球范围内，薄膜铌酸锂芯片及调制器生产企业主要是法国ixblue集团、美国Optilab公司、美国Lumentum公司、日本富士通等，少数企业垄断全球市场。在我国通信技术不断升级背景下，薄膜铌酸锂芯片必须实现国产化替代。
我国研究薄膜铌酸锂芯片的机构与企业数量不断增多。中山大学与华南师范大学合作，通过在硅基芯片上混合集成铌酸锂薄膜材料，制备了硅与铌酸锂混合集成电光调制器；华东师范大学团队研发了一种在铌酸锂薄膜材料上实现超低损耗且快速可调光波导的微纳加工方法，可以连续刻写出大尺寸的光子芯片；光库科技、光迅科技、晶正科技等企业也在加快薄膜铌酸锂芯片研发步伐。
新思界
行业分析人士表示，我国薄膜铌酸锂芯片研究成果不断增多，但尚未实现大规模批量生产。我国“十四五”国家重点研发计划“信息光子技术”重点专项中，提出铌酸锂薄膜光子集成关键工艺及集成技术开发，研究内容包括针对当前欠缺薄膜铌酸锂光电子芯片加工工艺平台问题，建设开放共享的薄膜铌酸锂光电子加工工艺平台。在国家政策的推动下，未来我国薄膜铌酸锂芯片研究成果产业化转化速度有望加快。
