高带宽内存是一种特殊形式的堆栈式内存架构，高带宽存储器（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，其主要通过硅通孔（简称TSV）技术进行芯片堆叠。凭借TSV方式，HBM提高了存储器的容量和数据传输速率，同时减少了延迟、功耗以及尺寸等，更适用于高性能计算（HPC）、大型数据中心、人工智能、超级计算机、云计算等领域。
近年来，随着互联网技术的发展，存储数据量实现大幅增长，市场对数据系统的性能、速度等有了更高的要求，在此背景下，以高带宽内存为代表的超带宽解决方案受到市场关注。HBM为下一代超级计算机、人工智能等高带宽应用提供了优质的DRAM产品，伴随5G商用时代到来，HBM市场需求将进一步增长，未来行业发展空间广阔。
根据新思界产业研究中心发布的《
2021-2026年高带宽存储器（HBM）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，近年来，随着相关技术进步，HBM在数据传输速率、内存容量以及宽带等方面均实现了明显提升，HBM也经历了由HBM1到HBM2、HBM2E再到HBM3的演变，数据传输速率由最初的1.0Gbps左右提升到8.4Gbps左右，应用场景也逐渐由数据中心向5G设备等领域扩展。从技术角度来看，HBM实现了从传统2D向立体3D转变，其正契合半导体行业集成化、小型化发展趋势。
HBM的诞生和发展，AMD和SK海力士功不可没，AMD是最早意识到DDR的局限性并产生开发堆叠内存的想法，2013年，SK海力士在业界首次成功研发出HBM，但目前来看，HBM市场仍处于相对早期的发展阶段。HBM行业存在一定的技术、研发以及资金壁垒，行业内主要企业包括AMD、SK海力士、三星等企业，受良好的市场前景吸引，台积电、格芯、美光等企业也开始布局该市场。总体来看，HBM市场竞争在不断加剧。
目前HBM在DRAM市场的占比仍较低，DDR仍是DRAM市场主流产品，但随着相关企业积极布局，HBM市场发展速度加快，伴随5G时代到来，以及相关技术不断突破，HBM应用领域将进一步扩展，HBM有望逐渐取代DDR成为DRAM市场市场主流产品，未来HBM市场发展空间广阔。
新思界
行业分析人士表示，HBM的容量和数据传输速率高，更适用于高性能计算、超级计算机、人工智能等场景，随着5G商用时代带来，存储数据量将大幅增长，HBM市场发展空间广阔。同时在企业积极布局、科技赋能的背景下，HBM在传输速率、内存容量以及宽带等方面均实现了明显提升，未来HBM有望逐渐取代DDR成为DRAM市场市场主流产品。
